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探索SiTime精密時間解決方案

來源：http://m.py519.com 作者：億金電子 2026年03月03

探索SiTime精密時間解決方案

在導航,航空航天與國防領域,"時間"是貫穿所有核心任務的命脈所在,其精準度直接決定任務的成敗與系統的效能——從衛星導航系統的厘米級定位服務,到航天器的星際軌道精準控制與姿態調整,再到國防裝備的多平臺協同作戰,精準打擊,每一項核心操作都離不開精準到納秒級的時間基準支撐.哪怕是微秒級的時間偏差,都可能導致導航定位誤差擴大至數百米,航天器軌道偏離預設軌跡,國防裝備協同失靈,造成難以挽回的損失.因此,一套穩定,精準,可靠的精密時間解決方案,成為三大領域高端系統不可或缺的核心組成部分,更是推動行業技術升級的關鍵支撐.導航,航空航天與國防系統的工作環境,堪稱時頻器件的"終極考驗",其嚴苛程度遠超普通工業與消費電子場景:航天器在軌運行時,需長期承受太空中的極端高低溫(從-150℃到+120℃),真空環境,強宇宙輻射與軌道調整時的劇烈振動;導航系統無論是車載,戶外還是機載場景,都需在復雜電磁干擾,晝夜溫差劇烈,顛簸振動等環境中,持續保持納秒級的時間同步精度;國防裝備則需在戰場的極端惡劣條件下,具備抗強電磁壓制,抗劇烈沖擊,抗鹽霧侵蝕的能力,同時滿足長壽命,低功耗,小型化的集成需求,確保長期部署無需頻繁維護.長期以來,傳統石英振蕩器因自身材質易碎,溫度適應性差,頻率穩定性不足,體積偏大,功耗偏高的固有痛點,難以承受這類高端場景的嚴苛考驗,往往成為制約系統性能提升,場景拓展的"瓶頸".SiTime精準洞察三大領域的核心痛點與需求缺口,以MEMS(微機電系統)技術為核心,徹底重構時頻器件的設計與制造邏輯,推出專為導航,航空航天與國防系統量身打造的精密時間解決方案,從精度,可靠性,環境適配,集成性等多維度實現突破性升級,憑借硅基技術的天然優勢,成為全球三大領域高端系統的優選時頻方案.

作為MEMS時頻技術的全球絕對領導者,美國SiTime晶振深耕精密時頻領域二十余年,憑借持續的技術創新與深厚的研發積淀,已將其時序器件產品的核心性能提升約100倍,隨著MEMS制造工藝與新型材料技術的不斷進步,預計未來還將再提升一個數量級.公司的核心創新的在于以硅替代傳統易碎的石英晶體,通過微機電系統技術的精準控制,實現了時頻器件更小的尺寸,更低的功耗,以及在更極端環境下的更高穩定性——這些特性恰好精準匹配導航,航空航天與國防系統對時頻器件的核心訴求.此外,SiTime通過戰略收購瑞薩電子的定時業務,進一步整合了行業優質研發資源與產品技術,完善了自身的全系列時序產品布局,加速其成為規模化,純粹化的精密定時領域領導者的進程,能夠全面覆蓋導航,航空航天與國防系統從核心控制模塊到終端設備的全場景時頻需求,憑借深厚的技術壁壘,完善的產品矩陣與豐富的行業應用經驗,為三大領域提供從產品選型,方案設計到售后支持的全流程精密時間支撐.

SiTime精密時間解決方案的四大核心優勢

SiTime專為導航,航空航天與國防系統設計的精密時間解決方案,并非單一器件的簡單組合,而是一套融合了核心器件,算法優化,封裝工藝與測試驗證的全鏈路解決方案.其核心依托SiTime自主研發的高性能MEMS諧振器,先進的恒溫控制技術,全鏈路抗干擾設計與精密校準算法,在頻率精度,環境適配能力,可靠性,集成性四大核心維度實現全方位突破,既徹底解決了傳統石英時頻方案的固有痛點,又深度貼合三大領域的個性化,嚴苛化需求,充分彰顯了硅基MEMS時頻技術相較于傳統石英技術的絕對優勢,為三大領域核心系統的穩定運行提供堅實保障.

優勢一:納秒級精準同步,筑牢核心系統時頻基準

精準的時間同步是導航,航空航天設備晶振與國防系統的核心需求,不同場景對時間精度的要求更是達到了極致嚴苛的水平:衛星導航系統的星地時間同步誤差需嚴格控制在納秒級,才能實現厘米級的定位精度;航天器的軌道計算,姿態調整與推進控制,需要穩定的時頻基準支撐,確保每一次軌道變軌,姿態調整都精準無誤;國防協同作戰場景中,多兵種,多裝備之間的時間同步精度需達到微秒級以下,才能實現指令的快速傳遞,目標的精準鎖定與協同打擊.SiTime精密時間解決方案,依托其自主研發的Titan MEMS諧振器與高頻Elite系列振蕩器,結合先進的精密頻率校準技術與智能恒溫控制算法,實現了極致的頻率穩定度與時間同步精度,完美滿足三大領域的嚴苛需求.

方案中的核心時頻器件,頻率穩定度可穩定達到±1ppb~±10ppb級別,其中針對航空航天,國防高端場景的定制化規格,可實現亞ppb級的極致精度,遠高于傳統石英振蕩器±10ppb~±100ppb的水平;同時,器件具備極低的相位噪聲,noise floor可達到-180dBc/Hz之水平,遠優于市場上同類競爭產品,能夠有效抵消溫度波動,電壓變化,電磁干擾,振動等外部復雜因素的影響,確保時鐘信號的持續穩定輸出,無明顯漂移.這種超高精度的時頻支撐,能夠為衛星導航接收機,航天器控制系統,國防雷達,指揮控制系統,導彈制導系統等核心設備提供精準可靠的時頻基準,確保系統各項核心任務的精準開展,從根本上提升導航定位的精度,航天器軌道控制的可靠性與國防裝備協同作戰的效能.

優勢二:極端環境全域適配,從容應對嚴苛工況

導航,航空航天與國防系統的工作環境往往極端復雜且多變,高低溫,真空,宇宙輻射,劇烈振動,強電磁干擾,鹽霧侵蝕等多種嚴苛因素并存,對時頻器件的環境適應性提出了近乎苛刻的要求,傳統石英器件因材質脆弱,封裝工藝有限,往往在這類環境中易出現頻率漂移,性能衰減甚至損壞的問題.SiTime憑借硅基MEMS技術的天然優勢,搭配定制化的精密封裝工藝與多輪嚴苛的環境測試,讓其精密時間解決方案具備了全場景極端環境適配能力,徹底解決了傳統石英器件易碎,環境適應性差的行業痛點,能夠從容應對三大領域的各類嚴苛工況.在溫度適配方面,方案中的時頻器件經過特殊的溫度補償與恒溫控制優化,工作溫度范圍可穩定覆蓋-55℃~+125℃,部分針對航空航天極端場景的定制化產品,可延伸至-150℃~+150℃,能夠從容應對航天器在軌運行的極端高低溫環境,戶外衛星導航晶振設備的晝夜溫差(從-40℃到+60℃),以及國防裝備在高溫沙漠,嚴寒極地等極端地區的部署需求,無論環境溫度如何劇烈波動,都能維持頻率輸出的穩定性,無明顯頻率漂移,確保核心系統正常運行;在抗干擾與可靠性方面,產品采用高可靠性金屬封裝材質,搭配精密的真空封焊技術與抗輻射設計,有效隔絕真空,宇宙輻射,濕度,鹽霧的侵蝕,同時具備優異的抗振,抗沖擊性能,抗振動可達10-2000Hz,20G加速度,抗沖擊可達1000G,0.3ms,能夠輕松承受航天器發射時的劇烈沖擊(可達數千G),導航設備的戶外顛簸,以及國防裝備在戰場環境中的沖擊與振動;此外,方案經過嚴格的電磁兼容(EMC)測試,具備極強的抗電磁干擾能力,可有效抵御國防戰場的電磁壓制,航天器在軌的電磁干擾,以及導航場景中的各類電磁干擾,避免電磁干擾對時頻信號的影響,確保核心系統的穩定運行.

優勢三:小型化低功耗集成,適配高端設備輕量化需求

導航,航空航天與國防領域的核心設備,往往對體積,重量與功耗有著極為嚴格的限制,這也是制約設備升級與場景拓展的重要因素:航天器的載荷空間極其有限,每1克重量的增加都可能導致發射成本大幅上升,且能源供應有限,對設備功耗提出了極致要求;便攜式導航設備,手持式國防裝備依賴電池供電,需要低功耗特性來延長續航時間,滿足戶外長時間工作需求;國防裝備的輕量化,集成化需求日益迫切,需要時頻器件具備小型化,易集成的特點,簡化設備設計流程.傳統石英振蕩器體積偏大,功耗偏高,難以適配這類輕量化,小型化,低功耗的集成需求,而SiTime精密時間解決方案憑借硅基MEMS技術的天然優勢,實現了小型化,低功耗與高性能的完美平衡,精準匹配三大領域的設備需求.SiTime的MEMS時頻器件采用微型化設計,通過先進的芯片集成工藝,體積較傳統石英振蕩器縮小50%以上,部分超小型規格封裝尺寸可低至1612mm晶振,可靈活集成于小型導航模塊,航天器微型控制系統,便攜式國防裝備,導彈制導模塊等設備中,大幅節省設備內部空間,助力設備實現輕量化,小型化升級,降低航天器發射成本與裝備部署難度;同時,方案具備優異的低功耗特性,通過電路優化與智能功耗調節技術,典型工作電流可低至幾十毫安級,待機功耗低至微安級,相較于傳統石英振蕩器功耗降低30%以上,能夠有效延長便攜式導航設備,航天器的電池續航時間,減少能源消耗,降低設備運維成本,完美適配長時間無外接電源的工作場景,如戶外導航,航天器在軌長期運行(可達數年),國防野外部署等.此外,SiTime的Titan MEMS諧振器還具備獨特的集成優勢,可將裸芯片與瑞薩電子的MCU或SoC芯片集成到單個封裝中,形成一體化解決方案,進一步提升設備的集成度,簡化設計流程,縮短客戶的研發周期.

優勢四:高可靠性長壽命,降低核心系統運維風險

導航,航空航天與國防系統的核心設備,往往需要長期穩定運行,且運維難度大,成本極高,甚至部分設備無法進行現場運維:航天器在軌運行后,一旦出現故障無法進行現場維修,只能接受任務失敗或設備報廢的結果;國防裝備大多部署在偏遠地區或戰場環境,維護成本極高,且頻繁維護會影響裝備的部署效能;導航設備需要全天候,長期穩定工作,才能保障定位服務的連續性與可靠性.SiTime精密時間解決方案,通過嚴苛的生產工藝,全流程品質管控與多輪可靠性測試,實現了高可靠性與長壽命的核心優勢,大幅降低核心系統的運維風險與成本,為三大領域核心任務的長期穩定開展提供有力保障.方案中的核心時頻器件,采用全自動化生產線與高精度加工設備制造,實現從芯片研發,晶圓加工,封裝測試到成品交付的全流程自主可控,最大限度減少人工操作誤差,確保產品品質的一致性與穩定性;同時,產品經過溫度循環,振動,沖擊,輻射,鹽霧,濕度,壽命測試等多項嚴苛檢測,每一項檢測標準都遠超行業規范,其故障率遠低于傳統石英振蕩器,使用壽命可達10萬小時以上,部分針對航空航天場景的產品,使用壽命可延伸至20萬小時以上,能夠完美適配航天器在軌長期運行,國防裝備長期部署,導航設備全天候工作的需求.此外,SiTime建立了完善的品質管控體系,從原材料篩選,生產過程管控到成品出廠檢測,每一個環節都配備專業的檢測設備與技術人員,每一款產品出廠前都需經過多重抽樣復檢,確保產品能夠在極端環境下長期穩定運行,為核心系統的長效可靠工作提供堅實保障,大幅降低因時頻器件故障導致的系統失效風險.

SiTime解決方案守護三大領域核心任務

依托納秒級精度,極端環境適配,小型化晶振低功耗,高可靠長壽命的四大核心優勢,SiTime精密時間解決方案已廣泛滲透到導航,航空航天與國防三大領域的各類高端系統中,針對不同場景的核心需求與痛點,實現差異化適配,為各類高端設備提供精準,穩定,可靠的時頻支撐,助力核心任務的順利開展,推動行業技術升級與場景拓展,成為三大領域高端系統升級的核心驅動力.

場景一:衛星導航系統——精準時頻,賦能厘米級定位

衛星導航系統(如北斗,GPS,GLONASS)的核心競爭力,在于定位精度與時間同步精度,而時頻器件的性能直接決定了導航系統的定位誤差與服務可靠性.衛星導航的定位原理基于"時間差計算",衛星與地面接收機之間的時間同步誤差每增加1納秒,定位誤差就會增加約30厘米,因此,納秒級的時間同步精度是實現厘米級定位的核心前提.SiTime精密時間解決方案,專為衛星導航系統的星地設備量身打造,無論是衛星在軌的時頻基準模塊,還是地面接收機的同步模塊,都能提供極致的時間同步精度與頻率穩定性,全方位提升導航系統的性能.在衛星端,SiTime的高可靠性MEMS振蕩器,經過抗輻射,抗真空,寬溫適配優化,能夠在太空真空,極端高低溫,強宇宙輻射環境下長期穩定工作,為衛星的軌道計算,信號生成與傳輸提供穩定的時頻基準,確保星地時間同步誤差嚴格控制在納秒級,為地面接收機的精準定位提供基礎;在地面接收機端,方案的低功耗,高抗干擾特性,能夠適配戶外復雜電磁環境,晝夜溫差劇烈,顛簸振動等場景,精準接收衛星信號,結合納秒級時間同步能力,實現厘米級定位精度,廣泛應用于車載導航,戶外地質勘探,精準農業,國防定位,無人機導航等各類場景.相較于傳統石英方案,SiTime解決方案不僅大幅提升了導航定位的精度與可靠性,有效降低了定位誤差,還通過小型化,低功耗設計,助力地面接收機實現便攜式,輕量化升級,拓展了衛星導航系統的應用邊界,滿足更多高端場景的定位需求.

場景二:航空航天領域——穩定可靠,護航星際探索

航空航天領域的每一項任務,都承載著重大的科研與應用價值,其對時頻器件的可靠性與環境適應性提出了極高要求——航天器發射時的劇烈沖擊,在軌運行的極端高低溫與強輻射,航空器飛行中的振動與復雜電磁干擾,都可能導致時頻信號異常,進而影響任務成敗,甚至造成重大損失.SiTime精密時間解決方案,憑借極端環境適配能力與高可靠性,成為航空航天設備的核心時頻支撐,全方位護航星際探索與航空飛行任務的順利開展.在航天器(衛星,飛船,探測器)中,方案可廣泛應用于姿態控制系統,推進系統,通信系統,導航系統等核心模塊,提供穩定,精準的時頻基準,確保航天器的軌道調整,姿態控制精準無誤,助力航天器完成星際探測,衛星通信,氣象觀測,空間科學實驗等核心任務;例如,在火星探測器中,SiTime的MEMS振蕩器能夠在火星表面的極端高低溫(-150℃~+20℃)與復雜環境下穩定工作,為探測器的地形探測,樣本分析,信號傳輸提供時頻支撐,確保探測任務的順利完成.在航空器(飛機,直升機,無人機)中,方案可適配飛行控制系統,導航系統,通信系統,能夠在高空低溫,劇烈振動,復雜電磁環境下穩定工作,確保飛行安全與導航精準,為機組人員提供可靠的時頻參考.此外,SiTime的小型化,低功耗設計,能夠有效節省航天器的載荷空間與能源消耗,延長航天器的在軌運行壽命,降低航空航天任務的成本,為航空航天事業的高質量發展提供有力支撐.

場景三:國防系統——抗擾長效,筑牢安全屏障

國防系統的穩定性與可靠性,直接關系到國家主權與安全,而時頻同步是國防裝備協同作戰,精準打擊,指令傳輸的核心前提.國防場景的工作環境極為惡劣,戰場電磁壓制,劇烈沖擊,極端高低溫,鹽霧侵蝕等因素,對時頻器件的抗干擾能力,可靠性與長壽命提出了嚴苛要求.SiTime精密時間解決方案,專為國防系統的嚴苛需求打造,具備抗干擾,抗沖擊,長壽命,低功耗,小型化的核心特質,廣泛應用于國防雷達,指揮控制系統,導彈系統,無人機晶振,艦載設備等核心裝備,筑牢國家國防安全屏障.在國防雷達系統中,方案的高頻率穩定度與低相位噪聲特性,能夠大幅提升雷達的探測精度,探測距離與抗干擾能力,確保精準捕捉空中,地面,海上的目標信號,避免因時頻偏差導致的目標誤判,漏判,為國防預警與目標打擊提供可靠支撐;在指揮控制系統中,方案的納秒級時間同步能力,能夠實現多兵種,多裝備之間的精準協同,確保指揮指令的快速傳遞與執行,提升協同作戰效能,實現"多裝備聯動,精準打擊";在導彈系統與無人機中,小型化,低功耗,高可靠性的優勢,能夠適配裝備的輕量化,小型化需求,同時確保裝備在復雜戰場環境下長期穩定工作,提升導彈的打擊精度與無人機的續航能力,增強國防裝備的作戰效能.此外,方案的強抗電磁干擾能力,能夠有效抵御戰場電磁壓制,確保國防裝備在復雜電磁環境下正常運行,避免因電磁干擾導致的裝備失效,全方位守護國家國防安全.

SiTime,全球精密時頻領域的創新引領者

作為全球MEMS時頻技術的領軍者,SiTime憑借深厚的技術積淀,完善的產品布局,嚴苛的品質管控與豐富的行業應用經驗,成為導航,航空航天與國防領域精密時間解決方案的首選供應商,贏得了全球眾多高端設備廠商與科研機構的高度認可與信賴.公司經過二十余年的持續研發與技術創新,構建了完善的技術壁壘,其MEMS時頻技術憑借體積小,功耗低,可靠性高,環境適應性強的獨特優勢,已逐步替代傳統石英技術,成為高端時頻領域的主流選擇,推動精密時頻領域進入硅基MEMS時代.在技術研發方面,SiTime擁有一支由時頻技術專家,資深工程師,材料科學家組成的專業研發團隊,團隊成員具備數十年的時頻器件研發經驗,持續投入研發資源(每年將營收的15%以上投入研發),配備先進的研發設備與專業實驗室,不斷突破技術瓶頸,優化產品性能.公司注重技術創新與專利保護,構建了完善的專利體系,累計擁有數百項核心發明專利,尤其在MEMS諧振器,恒溫控制,抗干擾設計,精密校準等領域,擁有多項突破性技術,始終保持行業技術領先地位.通過收購瑞薩電子的定時業務,SiTime進一步整合了行業優質研發資源與產品技術,完善了自身的全系列時序產品布局,能夠為導航,航空航天與國防領域提供更全面,更貼合需求的精密時間解決方案,滿足不同場景的個性化需求.

在生產制造與品質管控方面,SiTime建立了全球標準化的生產體系,在全球多個地區布局現代化生產基地,采用全自動化生產線與高精度加工設備,實現從芯片制造,晶圓加工,封裝測試到成品交付的全流程自主可控,最大限度減少人工操作誤差,確保產品品質的一致性與穩定性.公司制定了遠超行業標準的品質管控規范,每一款產品都需經過極端環境測試,壽命測試,抗干擾測試,輻射測試等多項嚴苛檢測,只有全部通過檢測且抽樣復檢合格后,才能交付客戶,確保產品能夠在導航,航空航天與國防的極端場景下穩定運行.同時,SiTime小體積晶振建立了完善的供應鏈管理體系,整合全球優質供應鏈資源,優化采購,生產,物流等各個環節,確保產品交付的及時性與穩定性,滿足客戶的批量訂單與試樣需求.

在服務方面,SiTime在全球范圍內建立了完善的服務體系,組建了一支專業的技術服務團隊,團隊成員具備豐富的時頻產品應用與調試經驗,熟悉導航,航空航天與國防領域的場景需求,為客戶提供從產品選型,樣品測試,技術支持到售后維護的全流程一站式服務.針對客戶的個性化場景需求,SiTime可聯合研發團隊定制專屬的精密時間適配方案,優化產品頻率,功耗,封裝,溫度適配范圍等參數,最大限度降低客戶的研發成本與周期,實現廠商與客戶的互利共贏,共同發展.此外,SiTime還為客戶提供專業的技術培訓與方案咨詢服務,助力客戶快速掌握產品應用技巧,提升產品部署效率.

探索SiTime精密時間解決方案

NI-10M-3510	Taitien	NI-10M-3500	OCXO	10 MHz	CMOS	5V	±0.2ppb
NI-10M-3560	Taitien	NI-10M-3500	OCXO	10 MHz	CMOS	5V	±0.1ppb
OXETECJANF-40.000000	Taitien	OX	XO	40 MHz	CMOS	2.8V ~ 3.3V	±30ppm
OXETGCJANF-25.000000	Taitien	OX	XO	25 MHz	CMOS	2.8V ~ 3.3V	±50ppm
OXETGLJANF-24.576000	Taitien	OX	XO	24.576 MHz	CMOS	2.8V ~ 3.3V	±50ppm
OXETHEJANF-12.000000	Taitien	OX	XO	12 MHz	CMOS	2.8V ~ 3.3V	±100ppm
OXETGCJANF-36.000000	Taitien	OX	XO	36 MHz	CMOS	2.8V ~ 3.3V	±50ppm
OXETGLJANF-40.000000	Taitien	OX	XO	40 MHz	CMOS	2.8V ~ 3.3V	±50ppm
OXETGCJANF-16.000000	Taitien	OX	XO	16 MHz	CMOS	3.3V	±50ppm
OXETGCJANF-24.576000	Taitien	OX	XO	24.576 MHz	CMOS	3.3V	±50ppm
OXETGCJANF-27.000000	Taitien	OX	XO	27 MHz	CMOS	3.3V	±50ppm
OXETGLJANF-16.000000	Taitien	OX	XO	16 MHz	CMOS	3.3V	±50ppm
OXKTGLJANF-19.200000	Taitien	OX	XO	19.2 MHz	CMOS	1.8V	±50ppm
OXKTGLJANF-26.000000	Taitien	OX	XO	26 MHz	CMOS	1.8V	±50ppm
OXETGCJANF-50.000000	Taitien	OX	XO	50 MHz	CMOS	3.3V	±50ppm
OXETGCJANF-54.000000	Taitien	OX	XO	54 MHz	CMOS	3.3V	±50ppm
OXETGLJANF-27.000000	Taitien	OX	XO	27 MHz	CMOS	3.3V	±50ppm
OXKTGLKANF-26.000000	Taitien	OX	XO	26 MHz	CMOS	1.8V	±50ppm
OCETDCJTNF-66.000000MHZ	Taitien	OC	XO	66 MHz	CMOS	2.8V ~ 3.3V	±25ppm
OXETECJANF-27.000000	Taitien	OX	XO	27 MHz	CMOS	2.8V ~ 3.3V	±30ppm
OXETGJJANF-7.680000	Taitien	OX	XO	7.68 MHz	CMOS	2.8V ~ 3.3V	±50ppm
OYETCCJANF-12.288000	Taitien	OY	XO	12.288 MHz	CMOS	2.8V ~ 3.3V	±20ppm
OXETGLJANF-38.880000	Taitien	OX	XO	38.88 MHz	CMOS	3.3V	±50ppm
OCETDCKANF-12.800000	Taitien	OC	XO	12.8 MHz	CMOS	3.3V	±25ppm
OCETECJANF-25.000000	Taitien	OC	XO	25 MHz	CMOS	3.3V	±30ppm
OCETCCJANF-12.000000	Taitien	OC	XO	12 MHz	CMOS	3.3V	±20ppm
OCETCCJANF-25.000000	Taitien	OC	XO	25 MHz	CMOS	3.3V	±20ppm
OCETDCKTNF-50.000000	Taitien	OC	XO	50 MHz	CMOS	3.3V	±25ppm
OCETDLJANF-2.048000	Taitien	OC	XO	2.048 MHz	CMOS	3.3V	±25ppm
OCETELJANF-8.000000	Taitien	OC	XO	8 MHz	CMOS	3.3V	±30ppm
OCETGCJANF-12.000000	Taitien	OC	XO	12 MHz	CMOS	3.3V	±50ppm
OCETGCJANF-24.576000	Taitien	OC	XO	24.576 MHz	CMOS	3.3V	±50ppm
OCETGCJANF-4.000000	Taitien	OC	XO	4 MHz	CMOS	3.3V	±50ppm
OCETGCJTNF-100.000000	Taitien	OC	XO	100 MHz	CMOS	3.3V	±50ppm
OCETGLJTNF-50.000000	Taitien	OC	XO	50 MHz	CMOS	3.3V	±50ppm
OCETGLKANF-20.000000	Taitien	OC	XO	20 MHz	CMOS	3.3V	±50ppm
OCETGLKANF-25.000000	Taitien	OC	XO	25 MHz	CMOS	3.3V	±50ppm
OCETHCJTNF-100.000000	Taitien	OC	XO	100 MHz	CMOS	1.8V	±100ppm
OCKTGLJANF-20.000000	Taitien	OC	XO	20 MHz	CMOS	1.8V	±50ppm
OCKTGLJANF-30.000000	Taitien	OC	XO	30 MHz	CMOS	1.8V	±50ppm
OCKTGLJANF-12.000000	Taitien	OC	XO	12 MHz	CMOS	1.8V	±50ppm
OCKTGLJANF-31.250000	Taitien	OC	XO	31.25 MHz	CMOS	1.8V	±50ppm
OCETDCJANF-12.000000	Taitien	OC	XO	12 MHz	CMOS	3.3V	±25ppm
OCETDCJTNF-50.000000	Taitien	OC	XO	50 MHz	CMOS	3.3V	±25ppm
OCETGCJANF-33.333000	Taitien	OC	XO	33.333 MHz	CMOS	3.3V	±50ppm
OCETGLJTNF-66.667000	Taitien	OC	XO	66.667 MHz	CMOS	3.3V	±50ppm
OCETGLJANF-27.000000	Taitien	OC	XO	27 MHz	CMOS	3.3V	±50ppm
OCETGLJANF-33.333000	Taitien	OC	XO	33.333 MHz	CMOS	3.3V	±50ppm
OCETGLJTNF-66.000000	Taitien	OC	XO	66 MHz	CMOS	3.3V	±50ppm
OCETGLJTNF-80.000000	Taitien	OC	XO	80 MHz	CMOS	3.3V	±50ppm
OCJTDCJANF-25.000000	Taitien	OC	XO	25 MHz	CMOS	2.5V	±25ppm
OCKTGLJANF-24.000000	Taitien	OC	XO	24 MHz	CMOS	1.8V	±50ppm
OXETGLJANF-12.000000	Taitien	OX	XO	12 MHz	CMOS	2.8V ~ 3.3V	±50ppm
OXETDLJANF-8.704000	Taitien	OX	XO	8.704 MHz	CMOS	2.8V ~ 3.3V	±25ppm
OXKTGCJANF-37.125000	Taitien	OX	XO	37.125 MHz	CMOS	1.8V	±50ppm
OXETCLJANF-26.000000	Taitien	OX	XO	26 MHz	CMOS	2.8V ~ 3.3V	±20ppm
OXETDLJANF-25.000000	Taitien	OX	XO	25 MHz	CMOS	2.8V ~ 3.3V	±25ppm
OXETGLJANF-48.000000	Taitien	OX	XO	48 MHz	CMOS	2.8V ~ 3.3V	±50ppm
OXJTDLJANF-25.000000	Taitien	OX	XO	25 MHz	CMOS	2.5V	±25ppm
OXJTGLJANF-25.000000	Taitien	OX	XO	25 MHz	CMOS	2.5V	±50ppm

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