OX-221和OX-300高穩定性Vectron OCXO在工業溫度范圍內以工業標準封裝實現±3ppb
來源：http://m.py519.com 作者：億金電子 2022年05月31
OCXO：烤箱控制晶體振蕩器
如果穩定性要求太嚴格而無法通過基本晶體振蕩器或TCXO來滿足，則晶體和關鍵電路可以通過烤箱進行溫度控制。Vectron恒溫器控制晶體振蕩器的框圖類似于Vectron TCXO的框圖，只是刪除了變容二極管和相關的熱敏電阻補償網絡，而振蕩器由比例控制的恒溫器晶振進行溫度控制。
比例控制是一種電子伺服系統，持續為烤箱供電；它會改變烤箱的功率，不斷補償環境溫度的變化。在許多Vectron烤箱控制振蕩器中，熱敏電阻被熱沉到烤箱的金屬外殼上以感應溫度。熱敏電阻是電阻橋的一個分支。
電橋的工作原理是，如果烤箱的溫度由于環境溫度變化而降低，熱敏電阻電阻的變化會導致電橋不平衡，從而增加電橋輸出電壓。該電壓在高增益差分放大器中被放大。差分放大器的輸出在功率放大器中進一步放大，直接驅動到烘箱繞組中。因此，由于電橋不平衡導致的小電壓增加會在烘箱繞組上產生很大的電壓增加。烤箱功率的增加會產生更多的熱量，以補償最初由熱敏電阻感應到的溫度下降。同樣，烤箱溫度升高會導致橋輸出電壓降低，從而導致進入烤箱的功率降低并補償溫度降低。
在某些Vectron OCXO中使用的這種設計的替代方案是將功率放大器的熱量沉入烤箱外殼作為熱傳遞機制，以代替加熱器繞組。這個概念是相同的，唯一的區別是加熱到烤箱的車輛。
使用比例控制的烘箱可以將振蕩器溫度穩定性相對于晶體的固有穩定性提高5000倍以上（例如，在0-50°C范圍內從±1x10-5到±1x10-9）。然而，烤箱控制系統并不完美，因為(a)開環增益不是無限的，(b)烤箱內部存在內部溫度梯度，以及(c)烤箱外部受環境溫度變化影響的電路可以“拉”頻率。因此，環境溫度的變化將導致烘箱溫度的微小變化。
當振蕩器最初在室溫下打開時，相對于烘箱穩定后的輸出頻率，頻率非常高，通常為30x10-6。這僅僅是因為AT切割晶體的頻率在室溫下遠高于其上限周轉溫度。隨著烤箱升溫，晶體頻率迅速降低。在標準Vectron振蕩器中，烘箱在10-15分鐘內達到平衡，但晶體在穩定之前顯示出橡皮筋效應并超出其最終頻率。通常，開機后30分鐘內即可達到較高的穩定性；在特殊的快速預熱設計中，此時間可縮短至5分鐘以下。
1.成本。由于在制造SC晶體時圍繞兩個軸的嚴格控制角度旋轉與AT的一個軸相比存在困難，因此SC晶體的成本明顯高于相同頻率和泛音的AT。
2.可拉性。SC晶體的運動電容比相同頻率和泛音的AT小數倍，從而降低了“拉動”晶體頻率的能力。這限制了SC晶體在傳統TCXO和VCXO中的使用，甚至在需要能夠以任何顯著程度偏離振蕩頻率的恒溫振蕩器中使用。
如果穩定性要求太嚴格而無法通過基本晶體振蕩器或TCXO來滿足，則晶體和關鍵電路可以通過烤箱進行溫度控制。Vectron恒溫器控制晶體振蕩器的框圖類似于Vectron TCXO的框圖，只是刪除了變容二極管和相關的熱敏電阻補償網絡，而振蕩器由比例控制的恒溫器晶振進行溫度控制。
| 16.0000M-FQ5032-T |
| Hosonic 晶振 |
| 5x3.2mm SMD Xtal |
| 18.4320M-FQ5032-T |
| Hosonic 晶振 |
| 5x3.2mm SMD Xtal |
| 5SB10.0000F20E33F |
| Hosonic 晶振 |
| CRYSTAL / 10.000MHZ / 20pf / 5.0x3.2x0.9 |
| D7SX30E00000PE |
| Hosonic 晶振 |
| D37A30.0000NNS |
| E2SB16.0000F10E11 |
| Hosonic 晶振 |
| HCX-2SB 系列 2.5 x 2 x 0.55 mm 16 MHz ±10 ppm 10 pF 表面貼裝 晶體 |
| E2SB18.4320F10E11 |
| Hosonic 晶振 |
| 低至：¥2.937106 (CNY) |
| HCX-2SB 系列 2.5 x 2 x 0.55 mm 18.432 MHz ±10 ppm 10 pF 表面貼裝 晶體 |
| E2SB20.0000F10E11 |
| Hosonic 晶振 |
| HCX-2SB 系列 2.5 x 2 x 0.55 mm 20 MHz ±10 ppm 10 pF 表面貼裝 晶體 |
| E2SB24.0000F10E11 |
| Hosonic 晶振 |
| HCX-2SB 系列 2.5 x 2 x 0.55 mm 24 MHz ±10 ppm 10 pF 表面貼裝 晶體 |
| E2SB27.0000F10E11 |
| Hosonic 晶振 |
| HCX-2SB 系列 2.5 x 2 x 0.55 mm 27 MHz ±10 ppm 10 pF 表面貼裝 晶體 |
| E3FB12.0000F18E33 |
| Hosonic 晶振 |
| HCX-3FB 系列 12 MHz 18 pF 3.2 x 2.5 x 0.8 mm 表面貼裝 晶體單元 |
| E3FB16.0000F18E33 |
| Hosonic 晶振 |
| HCX-3FB 系列 16 MHz 18 pF 3.2 x 2.5 x 0.8 mm 表面貼裝 晶體單元 |
| E3FB24.0000F18E33 |
| Hosonic 晶振 |
| HCX-3FB 系列 24 MHz 18 pF 3.2 x 2.5 x 0.8 mm 表面貼裝 晶體單元 |
| E3FB27.0000F18E33 |
| Hosonic 晶振 |
| HCX-3FB Series 27 MHz ±30 ppm 18 pF -20 to +70 °C Surface Mount Crystal |
| E3SB12E000021E |
| Hosonic 晶振 |
| HCX-3SB 系列 3.2 x 2.5 x 0.65 mm 12 MHz ±20 ppm 18 pF 表面貼裝 晶體 |
| E3SB13.0000F18E22 |
| Hosonic 晶振 |
| HCX-3SB 系列 3.2 x 2.5 x 0.65 mm 13 MHz ±20 ppm 18 pF 表面貼裝 晶體 |
| E3SB13.5600F18E22 |
| Hosonic 晶振 |
| HCX-3SB 系列 3.2 x 2.5 x 0.65 mm 13.56 MHz ±10 ppm 18 pF 表面貼裝 晶體 |
| E3SB13.5600F18E22 |
| Hosonic 晶振 |
| HCX-3SB 系列 3.2 x 2.5 x 0.65 mm 13.56 MHz ±10 ppm 18 pF 表面貼裝 晶體 |
| E3SB16.0000F18E22 |
| Hosonic 晶振 |
| HCX-3SB 系列 3.2 x 2.5 x 0.65 mm 16 MHz ±20 ppm 18 pF 表面貼裝 晶體 |
| E3SB18.4320F18E22 |
| Hosonic 晶振 |
| HCX-3SB 系列 3.2 x 2.5 x 0.65 mm 18.4318 MHz ±20 ppm 18 pF 表面貼裝 晶體 |
| E3SB20E000014E |
| Hosonic 晶振 |
| HCX-3SB 系列 3.2 x 2.5 x 0.65 mm 20 MHz ±20 ppm 18 pF 表面貼裝 晶體 |
| E3SB24.0000F12M33 |
| Hosonic 晶振 |
| HCX-3SB Series 24 MHz ±15 ppm 12 pF -20 to +70 °C Surface Mount Crystal |
| E3SB24.0000F18E22 |
| Hosonic 晶振 |
| HCX-3SB 系列 3.2 x 2.5 x 0.65 mm 24 MHz ±20 ppm 18 pF 表面貼裝 晶體 |
| E3SB24.5760F18E22 |
| Hosonic 晶振 |
| HCX-3SB 系列 3.2 x 2.5 x 0.65 mm 24.576 MHz ±20 ppm 18 pF 表面貼裝 晶體 |
| E3SB24E00000SE |
| Hosonic 晶振 |
| HCX-3SB Series 24 MHz ±20 ppm 10 pF -20 to +70 °C Surface Mount Crystal |
| E3SB25.0000F18E22 |
| Hosonic 晶振 |
| HCX-3SB 系列 3.2 x 2.5 x 0.65 mm 25 MHz ±20 ppm 18 pF 表面貼裝 晶體 |
| E3SB26E00000YE |
| Hosonic 晶振 |
| HCX-3SB Series 26 MHz ±20 ppm 12 pF -20 to +70 °C Surface Mount Crystal |
| E3SB27E0X000LE |
| Hosonic 晶振 |
| HCX-3SB Series 27 MHz ±20 ppm 18 pF -20 to +70 °C Surface Mount Crystal |
| E3SB40.0000F18E22 |
| Hosonic 晶振 |
| HCX-3SB 系列 3.2 x 2.5 x 0.65 mm 40 MHz ±20 ppm 18 pF 表面貼裝 晶體 |
| E3SB40E001200E |
| Hosonic 晶振 |
| HCX-3SB Series 40 MHz ±30 ppm 10 pf -20 to +70 °C Surface Mount Crystal |
| E49A11E0X000JE |
| Hosonic 晶振 |
| HC-49SA 系列 3.5 mm 高 11.0592 MHz ±30 ppm 20 pF 支架 晶體單元 |
| E49A12E00000ME |
| Hosonic 晶振 |
| HC-49SA Series 12 MHz ±30 ppm 20 pF -20 to +70 °C Low Profile Crystal |
| E49A16E00000ME |
| Hosonic 晶振 |
| HC-49SA 系列 3.5 mm 高 16 MHz ±30 ppm 20 pF 支架 晶體單元 |
| E49A24E00000HE |
| Hosonic 晶振 |
| HC-49SA 系列 3.5 mm 高 24 MHz ±30 ppm 20 pF 支架 晶體單元 |
| E49A25E00001AE |
| Hosonic 晶振 |
| HC-49SA 系列 3.5 mm 高 25 MHz ±30 ppm 20 pF 支架 晶體單元 |
| E49A25E000033E |
| Hosonic 晶振 |
| 20pf/±30ppm/±30ppm/-20+70c/F/Lead cut=3.2±0.2 Crystal |
| E49A4E000000JE |
| Hosonic 晶振 |
| HC-49SA 系列 3.5 mm 高 4 MHz ±30 ppm 20 pF 支架 晶體單元 |
| E49A7E00X0007E |
| Hosonic 晶振 |
| HC-49SA 系列 3.5 mm 高 7.3728 MHz ±30 ppm 20 pF 支架 晶體單元 |
| E49A8E000001CE |
| Hosonic 晶振 |
| E49A Series 10 pF -20 to +70 °C Through Hole Crystal |
| E49B10E00000TE |
| Hosonic 晶振 |
| E49B Series 10 pF -20 to +70 °C Surface Mount Crystal |
| E49B12E00001DE |
| Hosonic 晶振 |
| E49B Series 66 MHz ±50 ppm 10 pF -30 to +85 °C Surface Mount Crystal - HC-49/S |
| E49B12E000022E |
| Hosonic 晶振 |
| HC-49SB Series 12 MHz ±30 ppm 10 pF -20 to +70 °C Low Profile Crystal |
| E49B16E00000KE |
| Hosonic 晶振 |
| HC-49SM 系列 16 MHz 16 pF 11.4 x 4.7 x 4.5 mm 表面貼裝 晶體單元 |
| E49B16E00000SE |
| Hosonic 晶振 |
| HC-49SB Series 16 MHz ±30 ppm 18 pF -20 to +70 °C Low Profile Crystal |
| E49B4E000000GE |
| Hosonic 晶振 |
| HC-49SM 系列 11.4 x 4.7 x 4.5 mm 4 MHz ±30 ppm 18 pF 表面貼裝 晶體 單元 |
| E49B4E00X000ZE |
| Hosonic 晶振 |
| E49B Series 10 pF -20 to +70°C Surface Mount Crystal |
| E49B7E00X000AE |
| Hosonic 晶振 |
| HC-49SM 系列 11.4 x 4.7 x 4.5 mm 7.3728 MHz ±30 ppm 18 pF 表面貼裝 晶體單元 |
| E49B8E00X000CE |
| Hosonic 晶振 |
| E49B Series 10pF -20 to +70 °C Surface Mount Crystal |
| E49B9E00X0009E |
| Hosonic 晶振 |
| ESB 系列 9.84375 MHz ±30 ppm 10 pF -40至85 °C 表面貼裝 晶體 |
| E5FA10.0000F18E33 |
| Hosonic 晶振 |
| HCX-5FA 系列 5 x 3.2 x 1.2 mm 10 MHz ±30 ppm 18 pF 表面貼裝 晶體 |
| E5FA12E00000ME |
| Hosonic 晶振 |
| HCX-5FA 系列 5 x 3.2 x 1.2 mm 12 MHz ±30 ppm 18 pF 表面貼裝 晶體 |
| E5FA13.5600F18E33 |
| Hosonic 晶振 |
| HCX-5FA Series 13.56 MHz ±30 ppm 18 pF -20 to +70 °C Surface Mount Crystal |
| E5FA14.7456F18E33 |
| Hosonic 晶振 |
| HCX-5FA 系列 5 x 3.2 x 1.2 mm 14.7456 MHz ±30 ppm 18 pF 表面貼裝 晶體 |
| E5FA16.0000F18E33 |
| Hosonic 晶振 |
| HCX-5FA 系列 5 x 3.2 x 1.2 mm 16 MHz ±30 ppm 18 pF 表面貼裝 晶體 |
| E5FA18.4320F18E33 |
| Hosonic 晶振 |
| HCX-5FA 系列 5 x 3.2 x 1.2 mm 18.432 MHz ±30 ppm 18 pF 表面貼裝 晶體 |
| E5FA24.0000F18E33 |
| Hosonic 晶振 |
| HCX-5FA 系列 5 x 3.2 x 1.2 mm 24 MHz ±30 ppm 18 pF 表面貼裝 晶體 |
| E5FA24.0000F20D33 |
| Hosonic 晶振 |
| HCX-5FA Series 24 MHz ±30 ppm 20 pF -20 to +70 °C Surface Mount Crystal |
| E5FA24.5760F18E33 |
| Hosonic 晶振 |
| HCX-5FA 系列 5 x 3.2 x 1.2 mm 24.576 MHz ±30 ppm 18 pF 表面貼裝 晶體 |
| E5FA25E00000KE |
| Hosonic 晶振 |
| HCX-5FA Series 25 MHz ±30 ppm 16 pF -20 to +70 °C Surface Mount Crystal |
| E5FA25E00000TE |
| Hosonic 晶振 |
| HCX-5FA 系列 5 x 3.2 x 1.2 mm 25 MHz ±30 ppm 18 pF 表面貼裝 晶體 |
| E5SB11E0X0006E |
| Hosonic 晶振 |
| HCX-5SB 系列 5 x 3.2 x 0.8 mm 11.0592 MHz ±30 ppm 18 pF 表面貼裝 晶體 |
| E5SB12.0000F18E33 |
| Hosonic 晶振 |
| HCX-5SB 系列 5 x 3.2 x 0.8 mm 12 MHz ±30 ppm 18 pF 表面貼裝 晶體 |
| E5SB13.5600F18E33 |
| Hosonic 晶振 |
| HCX-5SB 系列 5 x 3.2 x 0.8 mm 13.56 MHz ±30 ppm 18 pF 表面貼裝 晶體 |
| E5SB14.7456F18E33 |
| Hosonic 晶振 |
| HCX-5SB 系列 5 x 3.2 x 0.8 mm 14.7456 MHz ±30 ppm 18 pF 表面貼裝 晶體 |
| E5SB20.0000F18E33 |
| Hosonic 晶振 |
| HCX-5SB 系列 5 x 3.2 x 0.8 mm 20 MHz ±30 ppm 18 pF 表面貼裝 晶體 |
| E5SB24.0000F18M12 |
| Hosonic 晶振 |
| HCX-5SB 系列 24 MHz ±30 ppm 18 pF 表面貼裝 晶體單元 |
| E5SB24.5760F18E33 |
| Hosonic 晶振 |
| HCX-5SB 系列 5 x 3.2 x 0.8 mm 24.576 MHz ±30 ppm 18 pF 表面貼裝 晶體 |
| E5SB25.0000F18E33 |
| Hosonic 晶振 |
| HCX-5SB 系列 5 x 3.2 x 0.8 mm 25 MHz ±30 ppm 18 pF 表面貼裝 晶體 |
| E5SB25E00001LE |
| Hosonic 晶振 |
| HCX-5SB 系列 5 x 3.2 x 0.8 mm 25 MHz ±30 ppm 18 pF 表面貼裝 晶體 |
| E5SB27.0000F18E33 |
| Hosonic 晶振 |
| HCX-5SB 系列 5 x 3.2 x 0.8 mm 27 MHz ±30 ppm 18 pF 表面貼裝 晶體 |
| ESA10.0000F30C35F |
| Hosonic 晶振 |
| HC-49SA Series 10 MHz ±30 ppm 10 pF -20 to +70 °C Low Profile Crystal |
| ESA12.0000F20B35F |
| Hosonic 晶振 |
| HC-49SA Series 12 MHz ±30 ppm 20 pF -20 to +70 °C Low Profile Crystal |
| ESA12.0000F20E33F |
| Hosonic 晶振 |
| HC-49SA 系列 3.5 mm 高 12 MHz ±30 ppm 20 pF 支架 晶體單元 |
| ESA12.0000F30D35F |
| Hosonic 晶振 |
| HC-49SA Series 12 MHz ±30 ppm 30 pF -20 to +70 °C Low Profile Crystal |
| ESA12.000F30D55F |
| Hosonic 晶振 |
| HC-49SA Series 12 MHz ±30 ppm 30 pF -20 to +70 °C Low Profile Crystal |
| ESA14.7456F20E33F |
| Hosonic 晶振 |
| HC-49SA 系列 3.5 mm 高 14.7456 MHz ±30 ppm 20 pF 支架 晶體單元 |
| ESA16.0000F30M55F |
| Hosonic 晶振 |
| HC-49SA Series 16 MHz ±30 ppm 30 pF -20 to +70 °C Low Profile Crystal |
| ESA18.4320F20E33F |
| Hosonic 晶振 |
| HC-49SA 系列 3.5 mm 高 18.432 MHz ±30 ppm 20 pF 支架 晶體單元 |
| ESA20.0000F18M33F |
| Hosonic 晶振 |
| HC-49SA Series 20 MHz ±50 ppm 18 pF -20 to +70 °C Low Profile Crystal |
| ESA20.0000F20E33F |
| Hosonic 晶振 |
| HC-49SA 系列 3.5 mm 高 20 MHz ±30 ppm 20 pF 支架 晶體單元 |
| ESA20.0000F30M55F |
| Hosonic 晶振 |
| HC-49SA Series 20 MHz ±30 ppm 18 pF -20 to +70 °C Low Profile Crystal |
| ESA3.68640F20E33F |
| Hosonic 晶振 |
| HC-49SA 系列 3.5 mm 高 3.6864 MHz ±30 ppm 20 pF 支架 晶體單元 |
| ESA8.00000F20E33F |
| Hosonic 晶振 |
| HC-49SA 系列 3.5 mm 高 8 MHz ±30 ppm 20 pF 支架 晶體單元 |
| ESB10.0000F20M35F |
| Hosonic 晶振 |
| HC-49SB Series 10 MHz ±30 ppm 20 pF -20 to +70 °C Low Profile Crystal |
| ESB11.0592F18E33F |
| Hosonic 晶振 |
| HC-49SM 系列 11.4 x 4.7 x 4.5 mm 11.0592 MHz ±30 ppm 18 pF 表面貼裝 晶體單元 |
| ESB12.0000F18E33F |
| Hosonic 晶振 |
| HC-49SM 系列 11.4 x 4.7 x 4.5 mm 12 MHz ±30 ppm 18 pF 表面貼裝 晶體單元 |
| ESB14.7456F18E33F |
| Hosonic 晶振 |
| HC-49SM 系列 11.4 x 4.7 x 4.5 mm 14.7456 MHz ±30 ppm 18 pF 表面貼裝 晶體單元 |
| ESB16.0000F18E33F |
| Hosonic 晶振 |
| HC-49SM 系列 11.4 x 4.7 x 4.5 mm 16 MHz ±30 ppm 18 pF 表面貼裝 晶體單元 |
| ESB18.4320F18E33F |
| Hosonic 晶振 |
| HC-49SM 系列 11.4 x 4.7 x 4.5 mm 18.432 MHz ±30 ppm 18 pF 表面貼裝 晶體單元 |
| ESB19.2000F32M55F |
| Hosonic 晶振 |
| HC-49SB Series 19.2 MHz ±30 ppm 32 pF -20 to +70 °C Low Profile Crystal |
| ESB19.44000F18M55F |
| Hosonic 晶振 |
| 49SMA 系列 10 x 3.5 mm 19.44 MHz ±50 ppm 18 pF -40至85 晶振 |
| ESB20.0000F18E33F |
| Hosonic 晶振 |
| HC-49SM 系列 11.4 x 4.7 x 4.5 mm 20 MHz ±30 ppm 18 pF 表面貼裝 晶體單元 |
| ESB24.0000F18E33F |
| Hosonic 晶振 |
| HC-49SM 系列 11.4 x 4.7 x 4.5 mm 24 MHz ±30 ppm 18 pF 表面貼裝 晶體單元 |
| ESB24.5760F18E33F |
| Hosonic 晶振 |
| HC-49SM 系列 11.4 x 4.7 x 4.5 mm 24.576 MHz ±30 ppm 18 pF 表面貼裝 晶體單元 |
| ESB25.0000F18C25F |
| Hosonic 晶振 |
| HC-49SB Series 25 MHz ±30 ppm 18 pF -20 to +70 °C Low Profile Crystal |
| ESB25.0000F18E33F |
| Hosonic 晶振 |
| HC-49SM 系列 11.4 x 4.7 x 4.5 mm 25 MHz ±30 ppm 18 pF 表面貼裝 晶體單元 |
| ESB3.68640F18E33F |
| Hosonic 晶振 |
| HC-49SM 系列 11.4 x 4.7 x 4.5 mm 3.6864 MHz ±30 ppm 18 pF 表面貼裝 晶體單元 |
| ESB4.00000F20E23FX |
| Hosonic 晶振 |
| HC-49SB Series 4 MHz ±30 ppm 20 pF -20 to +70 °C Low Profile Crystal |
| ESB6.00000F16D33F |
| Hosonic 晶振 |
| HC-49SB Series 6 MHz ±30 ppm 16 pF -20 to +70 °C Low Profile Crystal |
| ESB8.00000F18E33F |
| Hosonic 晶振 |
| HC-49SM 系列 11.4 x 4.7 x 4.5 mm 8 MHz ±30 ppm 18 pF 表面貼裝 晶體單元 |
| ESB8.00000F20B33F |
| Hosonic 晶振 |
| HC-49SB Series 8 MHz ±30 ppm 20 pF -20 to +70 °C Low Profile Crystal |
| 總結，就這些型號 |
| 16.0000M-FQ5032-T |
| 18.4320M-FQ5032-T |
| 5SB10.0000F20E33F |
| D7SX30E00000PE |
| E3SB12E000021E |
| E3SB16.0000F16M33 |
| E3SB16E001500E |
| E3SB18.4320F18E22 |
| E3SB20E000014E |
| E3SB24.0000F12M33 |
| E3SB24E00000SE |
| E3SB26E00000YE |
| E3SB27E0X000LE |
| E3SB32E001500E |
| E3SB40E001200E |
| E3SB48E000801E |
| E49A11E0X000JE |
| E49A12E00000ME |
| E49A16E00000ME |
| E49A24E00000HE |
| E49A25E00001AE |
| E49A25E000033E |
正在載入評論數據...
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