OCXO：烤箱控制晶體振蕩器
如果穩(wěn)定性要求太嚴格而無法通過基本晶體振蕩器或TCXO來滿足，則晶體和關鍵電路可以通過烤箱進行溫度控制。Vectron恒溫器控制晶體振蕩器的框圖類似于Vectron TCXO的框圖，只是刪除了變?nèi)荻O管和相關的熱敏電阻補償網(wǎng)絡，而振蕩器由比例控制的恒溫器晶振進行溫度控制。

16.0000M-FQ5032-T

Hosonic 晶振

5x3.2mm SMD Xtal

18.4320M-FQ5032-T

Hosonic 晶振

5x3.2mm SMD Xtal

5SB10.0000F20E33F

Hosonic 晶振

CRYSTAL / 10.000MHZ / 20pf / 5.0x3.2x0.9

D7SX30E00000PE

Hosonic 晶振

D37A30.0000NNS

E2SB16.0000F10E11

Hosonic 晶振

HCX-2SB 系列 2.5 x 2 x 0.55 mm 16 MHz ±10 ppm 10 pF 表面貼裝 晶體

E2SB18.4320F10E11

Hosonic 晶振

低至：¥2.937106 (CNY)

HCX-2SB 系列 2.5 x 2 x 0.55 mm 18.432 MHz ±10 ppm 10 pF 表面貼裝 晶體

E2SB20.0000F10E11

Hosonic 晶振

HCX-2SB 系列 2.5 x 2 x 0.55 mm 20 MHz ±10 ppm 10 pF 表面貼裝 晶體

E2SB24.0000F10E11

Hosonic 晶振

HCX-2SB 系列 2.5 x 2 x 0.55 mm 24 MHz ±10 ppm 10 pF 表面貼裝 晶體

E2SB27.0000F10E11

Hosonic 晶振

HCX-2SB 系列 2.5 x 2 x 0.55 mm 27 MHz ±10 ppm 10 pF 表面貼裝 晶體

E3FB12.0000F18E33

Hosonic 晶振

HCX-3FB 系列 12 MHz 18 pF 3.2 x 2.5 x 0.8 mm 表面貼裝 晶體單元

E3FB16.0000F18E33

Hosonic 晶振

HCX-3FB 系列 16 MHz 18 pF 3.2 x 2.5 x 0.8 mm 表面貼裝 晶體單元

E3FB24.0000F18E33

Hosonic 晶振

HCX-3FB 系列 24 MHz 18 pF 3.2 x 2.5 x 0.8 mm 表面貼裝 晶體單元

E3FB27.0000F18E33

Hosonic 晶振

HCX-3FB Series 27 MHz ±30 ppm 18 pF -20 to +70 °C Surface Mount Crystal

比例控制是一種電子伺服系統(tǒng)，持續(xù)為烤箱供電；它會改變烤箱的功率，不斷補償環(huán)境溫度的變化。在許多Vectron烤箱控制振蕩器中，熱敏電阻被熱沉到烤箱的金屬外殼上以感應溫度。熱敏電阻是電阻橋的一個分支。

E3SB12E000021E

Hosonic 晶振

HCX-3SB 系列 3.2 x 2.5 x 0.65 mm 12 MHz ±20 ppm 18 pF 表面貼裝 晶體

E3SB13.0000F18E22

Hosonic 晶振

HCX-3SB 系列 3.2 x 2.5 x 0.65 mm 13 MHz ±20 ppm 18 pF 表面貼裝 晶體

E3SB13.5600F18E22

Hosonic 晶振

HCX-3SB 系列 3.2 x 2.5 x 0.65 mm 13.56 MHz ±10 ppm 18 pF 表面貼裝 晶體

E3SB13.5600F18E22

Hosonic 晶振

HCX-3SB 系列 3.2 x 2.5 x 0.65 mm 13.56 MHz ±10 ppm 18 pF 表面貼裝 晶體

E3SB16.0000F18E22

Hosonic 晶振

HCX-3SB 系列 3.2 x 2.5 x 0.65 mm 16 MHz ±20 ppm 18 pF 表面貼裝 晶體

E3SB18.4320F18E22

Hosonic 晶振

HCX-3SB 系列 3.2 x 2.5 x 0.65 mm 18.4318 MHz ±20 ppm 18 pF 表面貼裝 晶體

E3SB20E000014E

Hosonic 晶振

HCX-3SB 系列 3.2 x 2.5 x 0.65 mm 20 MHz ±20 ppm 18 pF 表面貼裝 晶體

E3SB24.0000F12M33

Hosonic 晶振

HCX-3SB Series 24 MHz ±15 ppm 12 pF -20 to +70 °C Surface Mount Crystal

E3SB24.0000F18E22

Hosonic 晶振

HCX-3SB 系列 3.2 x 2.5 x 0.65 mm 24 MHz ±20 ppm 18 pF 表面貼裝 晶體

E3SB24.5760F18E22

Hosonic 晶振

HCX-3SB 系列 3.2 x 2.5 x 0.65 mm 24.576 MHz ±20 ppm 18 pF 表面貼裝 晶體

E3SB24E00000SE

Hosonic 晶振

HCX-3SB Series 24 MHz ±20 ppm 10 pF -20 to +70 °C Surface Mount Crystal

電橋的工作原理是，如果烤箱的溫度由于環(huán)境溫度變化而降低，熱敏電阻電阻的變化會導致電橋不平衡，從而增加電橋輸出電壓。該電壓在高增益差分放大器中被放大。差分放大器的輸出在功率放大器中進一步放大，直接驅(qū)動到烘箱繞組中。因此，由于電橋不平衡導致的小電壓增加會在烘箱繞組上產(chǎn)生很大的電壓增加。烤箱功率的增加會產(chǎn)生更多的熱量，以補償最初由熱敏電阻感應到的溫度下降。同樣，烤箱溫度升高會導致橋輸出電壓降低，從而導致進入烤箱的功率降低并補償溫度降低。

E3SB25.0000F18E22

Hosonic 晶振

HCX-3SB 系列 3.2 x 2.5 x 0.65 mm 25 MHz ±20 ppm 18 pF 表面貼裝 晶體

E3SB26E00000YE

Hosonic 晶振

HCX-3SB Series 26 MHz ±20 ppm 12 pF -20 to +70 °C Surface Mount Crystal

E3SB27E0X000LE

Hosonic 晶振

HCX-3SB Series 27 MHz ±20 ppm 18 pF -20 to +70 °C Surface Mount Crystal

E3SB40.0000F18E22

Hosonic 晶振

HCX-3SB 系列 3.2 x 2.5 x 0.65 mm 40 MHz ±20 ppm 18 pF 表面貼裝 晶體

E3SB40E001200E

Hosonic 晶振

HCX-3SB Series 40 MHz ±30 ppm 10 pf -20 to +70 °C Surface Mount Crystal

E49A11E0X000JE

Hosonic 晶振

HC-49SA 系列 3.5 mm 高 11.0592 MHz ±30 ppm 20 pF 支架 晶體單元

E49A12E00000ME

Hosonic 晶振

HC-49SA Series 12 MHz ±30 ppm 20 pF -20 to +70 °C Low Profile Crystal

E49A16E00000ME

Hosonic 晶振

HC-49SA 系列 3.5 mm 高 16 MHz ±30 ppm 20 pF 支架 晶體單元

E49A24E00000HE

Hosonic 晶振

HC-49SA 系列 3.5 mm 高 24 MHz ±30 ppm 20 pF 支架 晶體單元

E49A25E00001AE

Hosonic 晶振

HC-49SA 系列 3.5 mm 高 25 MHz ±30 ppm 20 pF 支架 晶體單元

E49A25E000033E

Hosonic 晶振

20pf/±30ppm/±30ppm/-20+70c/F/Lead cut=3.2±0.2 Crystal

E49A4E000000JE

Hosonic 晶振

HC-49SA 系列 3.5 mm 高 4 MHz ±30 ppm 20 pF 支架 晶體單元

E49A7E00X0007E

Hosonic 晶振

HC-49SA 系列 3.5 mm 高 7.3728 MHz ±30 ppm 20 pF 支架 晶體單元

在某些Vectron OCXO中使用的這種設計的替代方案是將功率放大器的熱量沉入烤箱外殼作為熱傳遞機制，以代替加熱器繞組。這個概念是相同的，唯一的區(qū)別是加熱到烤箱的車輛。

E49A8E000001CE

Hosonic 晶振

E49A Series 10 pF -20 to +70 °C Through Hole Crystal

E49B10E00000TE

Hosonic 晶振

E49B Series 10 pF -20 to +70 °C Surface Mount Crystal

E49B12E00001DE

Hosonic 晶振

E49B Series 66 MHz ±50 ppm 10 pF -30 to +85 °C Surface Mount Crystal - HC-49/S

E49B12E000022E

Hosonic 晶振

HC-49SB Series 12 MHz ±30 ppm 10 pF -20 to +70 °C Low Profile Crystal

E49B16E00000KE

Hosonic 晶振

HC-49SM 系列 16 MHz 16 pF 11.4 x 4.7 x 4.5 mm 表面貼裝 晶體單元

E49B16E00000SE

Hosonic 晶振

HC-49SB Series 16 MHz ±30 ppm 18 pF -20 to +70 °C Low Profile Crystal

E49B4E000000GE

Hosonic 晶振

HC-49SM 系列 11.4 x 4.7 x 4.5 mm 4 MHz ±30 ppm 18 pF 表面貼裝 晶體 單元

E49B4E00X000ZE

Hosonic 晶振

E49B Series 10 pF -20 to +70°C Surface Mount Crystal

E49B7E00X000AE

Hosonic 晶振

HC-49SM 系列 11.4 x 4.7 x 4.5 mm 7.3728 MHz ±30 ppm 18 pF 表面貼裝 晶體單元

E49B8E00X000CE

Hosonic 晶振

E49B Series 10pF -20 to +70 °C Surface Mount Crystal

E49B9E00X0009E

Hosonic 晶振

ESB 系列 9.84375 MHz ±30 ppm 10 pF -40至85 °C 表面貼裝 晶體

E5FA10.0000F18E33

Hosonic 晶振

HCX-5FA 系列 5 x 3.2 x 1.2 mm 10 MHz ±30 ppm 18 pF 表面貼裝 晶體

E5FA12E00000ME

Hosonic 晶振

HCX-5FA 系列 5 x 3.2 x 1.2 mm 12 MHz ±30 ppm 18 pF 表面貼裝 晶體

E5FA13.5600F18E33

Hosonic 晶振

HCX-5FA Series 13.56 MHz ±30 ppm 18 pF -20 to +70 °C Surface Mount Crystal

使用比例控制的烘箱可以將振蕩器溫度穩(wěn)定性相對于晶體的固有穩(wěn)定性提高5000倍以上（例如，在0-50°C范圍內(nèi)從±1x10-5到±1x10-9）。然而，烤箱控制系統(tǒng)并不完美，因為(a)開環(huán)增益不是無限的，(b)烤箱內(nèi)部存在內(nèi)部溫度梯度，以及(c)烤箱外部受環(huán)境溫度變化影響的電路可以“拉”頻率。因此，環(huán)境溫度的變化將導致烘箱溫度的微小變化。

E5FA14.7456F18E33

Hosonic 晶振

HCX-5FA 系列 5 x 3.2 x 1.2 mm 14.7456 MHz ±30 ppm 18 pF 表面貼裝 晶體

E5FA16.0000F18E33

Hosonic 晶振

HCX-5FA 系列 5 x 3.2 x 1.2 mm 16 MHz ±30 ppm 18 pF 表面貼裝 晶體

E5FA18.4320F18E33

Hosonic 晶振

HCX-5FA 系列 5 x 3.2 x 1.2 mm 18.432 MHz ±30 ppm 18 pF 表面貼裝 晶體

E5FA24.0000F18E33

Hosonic 晶振

HCX-5FA 系列 5 x 3.2 x 1.2 mm 24 MHz ±30 ppm 18 pF 表面貼裝 晶體

E5FA24.0000F20D33

Hosonic 晶振

HCX-5FA Series 24 MHz ±30 ppm 20 pF -20 to +70 °C Surface Mount Crystal

E5FA24.5760F18E33

Hosonic 晶振

HCX-5FA 系列 5 x 3.2 x 1.2 mm 24.576 MHz ±30 ppm 18 pF 表面貼裝 晶體

E5FA25E00000KE

Hosonic 晶振

HCX-5FA Series 25 MHz ±30 ppm 16 pF -20 to +70 °C Surface Mount Crystal

E5FA25E00000TE

Hosonic 晶振

HCX-5FA 系列 5 x 3.2 x 1.2 mm 25 MHz ±30 ppm 18 pF 表面貼裝 晶體

E5SB11E0X0006E

Hosonic 晶振

HCX-5SB 系列 5 x 3.2 x 0.8 mm 11.0592 MHz ±30 ppm 18 pF 表面貼裝 晶體

E5SB12.0000F18E33

Hosonic 晶振

HCX-5SB 系列 5 x 3.2 x 0.8 mm 12 MHz ±30 ppm 18 pF 表面貼裝 晶體

E5SB13.5600F18E33

Hosonic 晶振

HCX-5SB 系列 5 x 3.2 x 0.8 mm 13.56 MHz ±30 ppm 18 pF 表面貼裝 晶體

E5SB14.7456F18E33

Hosonic 晶振

HCX-5SB 系列 5 x 3.2 x 0.8 mm 14.7456 MHz ±30 ppm 18 pF 表面貼裝 晶體

E5SB20.0000F18E33

Hosonic 晶振

HCX-5SB 系列 5 x 3.2 x 0.8 mm 20 MHz ±30 ppm 18 pF 表面貼裝 晶體

E5SB24.0000F18M12

Hosonic 晶振

HCX-5SB 系列 24 MHz ±30 ppm 18 pF 表面貼裝 晶體單元

E5SB24.5760F18E33

Hosonic 晶振

HCX-5SB 系列 5 x 3.2 x 0.8 mm 24.576 MHz ±30 ppm 18 pF 表面貼裝 晶體

當振蕩器最初在室溫下打開時，相對于烘箱穩(wěn)定后的輸出頻率，頻率非常高，通常為30x10-6。這僅僅是因為AT切割晶體的頻率在室溫下遠高于其上限周轉(zhuǎn)溫度。隨著烤箱升溫，晶體頻率迅速降低。在標準Vectron振蕩器中，烘箱在10-15分鐘內(nèi)達到平衡，但晶體在穩(wěn)定之前顯示出橡皮筋效應并超出其最終頻率。通常，開機后30分鐘內(nèi)即可達到較高的穩(wěn)定性；在特殊的快速預熱設計中，此時間可縮短至5分鐘以下。

E5SB25.0000F18E33

Hosonic 晶振

HCX-5SB 系列 5 x 3.2 x 0.8 mm 25 MHz ±30 ppm 18 pF 表面貼裝 晶體

E5SB25E00001LE

Hosonic 晶振

HCX-5SB 系列 5 x 3.2 x 0.8 mm 25 MHz ±30 ppm 18 pF 表面貼裝 晶體

E5SB27.0000F18E33

Hosonic 晶振

HCX-5SB 系列 5 x 3.2 x 0.8 mm 27 MHz ±30 ppm 18 pF 表面貼裝 晶體

ESA10.0000F30C35F

Hosonic 晶振

HC-49SA Series 10 MHz ±30 ppm 10 pF -20 to +70 °C Low Profile Crystal

ESA12.0000F20B35F

Hosonic 晶振

HC-49SA Series 12 MHz ±30 ppm 20 pF -20 to +70 °C Low Profile Crystal

ESA12.0000F20E33F

Hosonic 晶振

HC-49SA 系列 3.5 mm 高 12 MHz ±30 ppm 20 pF 支架 晶體單元

ESA12.0000F30D35F

Hosonic 晶振

HC-49SA Series 12 MHz ±30 ppm 30 pF -20 to +70 °C Low Profile Crystal

ESA12.000F30D55F

Hosonic 晶振

HC-49SA Series 12 MHz ±30 ppm 30 pF -20 to +70 °C Low Profile Crystal

ESA14.7456F20E33F

Hosonic 晶振

HC-49SA 系列 3.5 mm 高 14.7456 MHz ±30 ppm 20 pF 支架 晶體單元

ESA16.0000F30M55F

Hosonic 晶振

HC-49SA Series 16 MHz ±30 ppm 30 pF -20 to +70 °C Low Profile Crystal

ESA18.4320F20E33F

Hosonic 晶振

HC-49SA 系列 3.5 mm 高 18.432 MHz ±30 ppm 20 pF 支架 晶體單元

ESA20.0000F18M33F

Hosonic 晶振

HC-49SA Series 20 MHz ±50 ppm 18 pF -20 to +70 °C Low Profile Crystal

ESA20.0000F20E33F

Hosonic 晶振

HC-49SA 系列 3.5 mm 高 20 MHz ±30 ppm 20 pF 支架 晶體單元

ESA20.0000F30M55F

Hosonic 晶振

HC-49SA Series 20 MHz ±30 ppm 18 pF -20 to +70 °C Low Profile Crystal

1.成本。由于在制造SC晶體時圍繞兩個軸的嚴格控制角度旋轉(zhuǎn)與AT的一個軸相比存在困難，因此SC晶體的成本明顯高于相同頻率和泛音的AT。

ESA3.68640F20E33F

Hosonic 晶振

HC-49SA 系列 3.5 mm 高 3.6864 MHz ±30 ppm 20 pF 支架 晶體單元

ESA8.00000F20E33F

Hosonic 晶振

HC-49SA 系列 3.5 mm 高 8 MHz ±30 ppm 20 pF 支架 晶體單元

ESB10.0000F20M35F

Hosonic 晶振

HC-49SB Series 10 MHz ±30 ppm 20 pF -20 to +70 °C Low Profile Crystal

ESB11.0592F18E33F

Hosonic 晶振

HC-49SM 系列 11.4 x 4.7 x 4.5 mm 11.0592 MHz ±30 ppm 18 pF 表面貼裝 晶體單元

ESB12.0000F18E33F

Hosonic 晶振

HC-49SM 系列 11.4 x 4.7 x 4.5 mm 12 MHz ±30 ppm 18 pF 表面貼裝 晶體單元

ESB14.7456F18E33F

Hosonic 晶振

HC-49SM 系列 11.4 x 4.7 x 4.5 mm 14.7456 MHz ±30 ppm 18 pF 表面貼裝 晶體單元

ESB16.0000F18E33F

Hosonic 晶振

HC-49SM 系列 11.4 x 4.7 x 4.5 mm 16 MHz ±30 ppm 18 pF 表面貼裝 晶體單元

ESB18.4320F18E33F

Hosonic 晶振

HC-49SM 系列 11.4 x 4.7 x 4.5 mm 18.432 MHz ±30 ppm 18 pF 表面貼裝 晶體單元

ESB19.2000F32M55F

Hosonic 晶振

HC-49SB Series 19.2 MHz ±30 ppm 32 pF -20 to +70 °C Low Profile Crystal

ESB19.44000F18M55F

Hosonic 晶振

49SMA 系列 10 x 3.5 mm 19.44 MHz ±50 ppm 18 pF -40至85 晶振

ESB20.0000F18E33F

Hosonic 晶振

HC-49SM 系列 11.4 x 4.7 x 4.5 mm 20 MHz ±30 ppm 18 pF 表面貼裝 晶體單元

ESB24.0000F18E33F

Hosonic 晶振

HC-49SM 系列 11.4 x 4.7 x 4.5 mm 24 MHz ±30 ppm 18 pF 表面貼裝 晶體單元

ESB24.5760F18E33F

Hosonic 晶振

HC-49SM 系列 11.4 x 4.7 x 4.5 mm 24.576 MHz ±30 ppm 18 pF 表面貼裝 晶體單元

ESB25.0000F18C25F

Hosonic 晶振

HC-49SB Series 25 MHz ±30 ppm 18 pF -20 to +70 °C Low Profile Crystal

ESB25.0000F18E33F

Hosonic 晶振

HC-49SM 系列 11.4 x 4.7 x 4.5 mm 25 MHz ±30 ppm 18 pF 表面貼裝 晶體單元

2.可拉性。SC晶體的運動電容比相同頻率和泛音的AT小數(shù)倍，從而降低了“拉動”晶體頻率的能力。這限制了SC晶體在傳統(tǒng)TCXO和VCXO中的使用，甚至在需要能夠以任何顯著程度偏離振蕩頻率的恒溫振蕩器中使用。

ESB3.68640F18E33F

Hosonic 晶振

HC-49SM 系列 11.4 x 4.7 x 4.5 mm 3.6864 MHz ±30 ppm 18 pF 表面貼裝 晶體單元

ESB4.00000F20E23FX

Hosonic 晶振

HC-49SB Series 4 MHz ±30 ppm 20 pF -20 to +70 °C Low Profile Crystal

ESB6.00000F16D33F

Hosonic 晶振

HC-49SB Series 6 MHz ±30 ppm 16 pF -20 to +70 °C Low Profile Crystal

ESB8.00000F18E33F

Hosonic 晶振

HC-49SM 系列 11.4 x 4.7 x 4.5 mm 8 MHz ±30 ppm 18 pF 表面貼裝 晶體單元

ESB8.00000F20B33F

Hosonic 晶振

HC-49SB Series 8 MHz ±30 ppm 20 pF -20 to +70 °C Low Profile Crystal

總結(jié)，就這些型號

16.0000M-FQ5032-T

18.4320M-FQ5032-T

5SB10.0000F20E33F

D7SX30E00000PE

E3SB12E000021E

E3SB16.0000F16M33

E3SB16E001500E

E3SB18.4320F18E22

E3SB20E000014E

E3SB24.0000F12M33

E3SB24E00000SE

E3SB26E00000YE

E3SB27E0X000LE

E3SB32E001500E

E3SB40E001200E

E3SB48E000801E

E49A11E0X000JE

E49A12E00000ME

E49A16E00000ME

E49A24E00000HE

E49A25E00001AE

E49A25E000033E