介紹
TC-12.000MBD-T,TD-12.000MBD-T,TD-4.096MBD-T.為了保護(hù)和確保可焊性,Statek晶振建議將我們的標(biāo)準(zhǔn)產(chǎn)品儲(chǔ)存在15°C至35°C的溫度和25%至85%RH的濕度下。
本文檔提供了在客戶所在地處理晶體或晶體振蕩器產(chǎn)品的指南。它涵蓋了從在客戶碼頭收到產(chǎn)品并存儲(chǔ)在客戶貨架上的產(chǎn)品處理，通過(guò)從裝運(yùn)箱中取出、電路板焊接和分板/分割，以及在客戶的最終產(chǎn)品中安裝到客戶的電路板上。

7XZ-32.768KDA-T	TXC晶振	7XZ	XO	32.768kHz	±25ppm
7XZ-32.768KDA-T	TXC晶振	7XZ	XO	32.768kHz	±25ppm
7XZ-32.768KDA-T	TXC晶振	7XZ	XO	32.768kHz	±25ppm
7XZ-32.768KDE-T	TXC晶振	7XZ	XO	32.768kHz	±50ppm
7XZ-32.768KDE-T	TXC晶振	7XZ	XO	32.768kHz	±50ppm
7XZ-32.768KDE-T	TXC晶振	7XZ	XO	32.768kHz	±50ppm
7W-8.000MBB-T	TXC晶振	7W	XO	8MHz	±50ppm
7W-8.000MBB-T	TXC晶振	7W	XO	8MHz	±50ppm
7W-8.000MBB-T	TXC晶振	7W	XO	8MHz	±50ppm
7W-50.000MBB-T	TXC晶振	7W	XO	50MHz	±50ppm
7W-50.000MBB-T	TXC晶振	7W	XO	50MHz	±50ppm
7W-50.000MBB-T	TXC晶振	7W	XO	50MHz	±50ppm
7W-50.000MBA-T	TXC晶振	7W	XO	50MHz	±25ppm
7W-50.000MBA-T	TXC晶振	7W	XO	50MHz	±25ppm
7W-50.000MBA-T	TXC晶振	7W	XO	50MHz	±25ppm
AU-26.000MBE-T	TXC晶振	AU	XO	26MHz	±50ppm
AU-26.000MBE-T	TXC晶振	AU	XO	26MHz	±50ppm
AU-26.000MBE-T	TXC晶振	AU	XO	26MHz	±50ppm
7C-40.000MBA-T	TXC晶振	7C	XO	40MHz	±25ppm
7C-40.000MBA-T	TXC晶振	7C	XO	40MHz	±25ppm
7C-40.000MBA-T	TXC晶振	7C	XO	40MHz	±25ppm
7Z-38.400MBG-T	TXC晶振	7Z	TCXO	38.4MHz	±500ppb
7Z-38.400MBG-T	TXC晶振	7Z	TCXO	38.4MHz	±500ppb
7Z-38.400MBG-T	TXC晶振	7Z	TCXO	38.4MHz	±500ppb
6U-16.384MBE-T	TXC晶振	6U	VCXO	16.384MHz	±50ppm
6U-16.384MBE-T	TXC晶振	6U	VCXO	16.384MHz	±50ppm
6U-16.384MBE-T	TXC晶振	6U	VCXO	16.384MHz	±50ppm
BF-125.000MBE-T	TXC晶振	BF	XO	125MHz	±50ppm

盡管本技術(shù)說(shuō)明為所有晶體和晶體振蕩器設(shè)備提供了處理指南，但Statek晶體和晶體振蕩器的設(shè)計(jì)和制造堅(jiān)固耐用，在遭受錯(cuò)誤處理時(shí)應(yīng)該優(yōu)于行業(yè)中的平均晶體和晶體振蕩器。 

BF-125.000MBE-T	TXC晶振	BF	XO	125MHz	±50ppm
BF-125.000MBE-T	TXC晶振	BF	XO	125MHz	±50ppm
BF-100.000MBE-T	TXC晶振	BF	XO	100MHz	±50ppm
BF-100.000MBE-T	TXC晶振	BF	XO	100MHz	±50ppm
BF-100.000MBE-T	TXC晶振	BF	XO	100MHz	±50ppm
BX-100.000MBE-T	TXC晶振	BX	XO	100MHz	±50ppm
BX-100.000MBE-T	TXC晶振	BX	XO	100MHz	±50ppm
BX-100.000MBE-T	TXC晶振	BX	XO	100MHz	±50ppm
CX-100.000MBE-T	TXC晶振	CX	XO	100MHz	±50ppm
CX-100.000MBE-T	TXC晶振	CX	XO	100MHz	±50ppm
CX-100.000MBE-T	TXC晶振	CX	XO	100MHz	±50ppm
7XZ-32.768KBA-T	TXC晶振	7XZ	XO	32.768kHz	±25ppm
7XZ-32.768KBA-T	TXC晶振	7XZ	XO	32.768kHz	±25ppm
7XZ-32.768KBA-T	TXC晶振	7XZ	XO	32.768kHz	±25ppm
7W-25.000MBB-T	TXC晶振	7W	XO	25MHz	±50ppm
7W-25.000MBB-T	TXC晶振	7W	XO	25MHz	±50ppm
7W-25.000MBB-T	TXC晶振	7W	XO	25MHz	±50ppm
7W-48.000MBB-T	TXC晶振	7W	XO	48MHz	±50ppm
7W-48.000MBB-T	TXC晶振	7W	XO	48MHz	±50ppm
7W-48.000MBB-T	TXC晶振	7W	XO	48MHz	±50ppm
7X-19.200MBB-T	TXC晶振	7X	XO	19.2MHz	±50ppm
7X-19.200MBB-T	TXC晶振	7X	XO	19.2MHz	±50ppm
7X-19.200MBB-T	TXC晶振	7X	XO	19.2MHz	±50ppm
7X-30.000MBB-T	TXC晶振	7X	XO	30MHz	±50ppm
7X-30.000MBB-T	TXC晶振	7X	XO	30MHz	±50ppm
7X-30.000MBB-T	TXC晶振	7X	XO	30MHz	±50ppm
AW-11.2896MBE-T	TXC晶振	AW	XO	11.2896MHz	±50ppm
AW-11.2896MBE-T	TXC晶振	AW	XO	11.2896MHz	±50ppm
AW-11.2896MBE-T	TXC晶振	AW	XO	11.2896MHz	±50ppm
AU-50.000MBE-T	TXC晶振	AU	XO	50MHz	±50ppm

所有晶體和晶體振蕩器的一般處理指南
晶體和振蕩器產(chǎn)品的設(shè)計(jì)和制造能夠承受一定的沖擊水平。這些級(jí)別在產(chǎn)品數(shù)據(jù)表的“規(guī)格”部分中進(jìn)行了說(shuō)明。由于處理或制造過(guò)程步驟而超過(guò)這些沖擊水平可能會(huì)導(dǎo)致設(shè)備的電氣特性發(fā)生變化和/或?qū)嶋H損壞。

AU-50.000MBE-T	TXC晶振	AU	XO	50MHz	±50ppm
AU-50.000MBE-T	TXC晶振	AU	XO	50MHz	±50ppm
7X-38.400MBA-T	TXC晶振	7X	XO	38.4MHz	±25ppm
7X-38.400MBA-T	TXC晶振	7X	XO	38.4MHz	±25ppm
7X-38.400MBA-T	TXC晶振	7X	XO	38.4MHz	±25ppm
8W-12.000MBA-T	TXC晶振	8W	XO	12MHz	±25ppm
8W-12.000MBA-T	TXC晶振	8W	XO	12MHz	±25ppm
8W-12.000MBA-T	TXC晶振	8W	XO	12MHz	±25ppm
BB-125.000MBE-T	TXC晶振	BB	XO	125MHz	±50ppm
BB-125.000MBE-T	TXC晶振	BB	XO	125MHz	±50ppm
BB-125.000MBE-T	TXC晶振	BB	XO	125MHz	±50ppm
7W-4.096MBB-T	TXC晶振	7W	XO	4.096MHz	±50ppm
7W-4.096MBB-T	TXC晶振	7W	XO	4.096MHz	±50ppm
7W-4.096MBB-T	TXC晶振	7W	XO	4.096MHz	±50ppm
7W-40.000MBB-T	TXC晶振	7W	XO	40MHz	±50ppm
7W-40.000MBB-T	TXC晶振	7W	XO	40MHz	±50ppm
7W-40.000MBB-T	TXC晶振	7W	XO	40MHz	±50ppm
7C-26.000MBB-T	TXC晶振	7C	XO	26MHz	±50ppm
7C-26.000MBB-T	TXC晶振	7C	XO	26MHz	±50ppm
7C-26.000MBB-T	TXC晶振	7C	XO	26MHz	±50ppm
7C-40.000MCB-T	TXC晶振	7C	XO	40MHz	±50ppm
7C-40.000MCB-T	TXC晶振	7C	XO	40MHz	±50ppm
7C-40.000MCB-T	TXC晶振	7C	XO	40MHz	±50ppm
7W-66.6666MBB-T	TXC晶振	7W	XO	66.6666MHz	±50ppm
7W-66.6666MBB-T	TXC晶振	7W	XO	66.6666MHz	±50ppm
7W-66.6666MBB-T	TXC晶振	7W	XO	66.6666MHz	±50ppm
7W-24.576MBA-T	TXC晶振	7W	XO	24.576MHz	±25ppm
7W-24.576MBA-T	TXC晶振	7W	XO	24.576MHz	±25ppm
7W-24.576MBA-T	TXC晶振	7W	XO	24.576MHz	±25ppm
7X-19.200MBA-T	TXC晶振	7X	XO	19.2MHz	±25ppm

為了保護(hù)和確保可焊性，Statek建議將我們的標(biāo)準(zhǔn)產(chǎn)品儲(chǔ)存在15°C至35°C的溫度和25%至85%RH的濕度下。
一些客戶報(bào)告說(shuō)，對(duì)晶體進(jìn)行超聲波清洗會(huì)損壞晶體，或者在極端情況下會(huì)導(dǎo)致晶體破裂。這種損壞或破損可能發(fā)生在低頻和高頻晶體中。因此，我們建議客戶在對(duì)我們的設(shè)備進(jìn)行超聲波清洗時(shí)要小心，并首先嘗試驗(yàn)證這樣的清洗過(guò)程不會(huì)損壞設(shè)備。

7X-19.200MBA-T	TXC晶振	7X	XO	19.2MHz	±25ppm
7X-19.200MBA-T	TXC晶振	7X	XO	19.2MHz	±25ppm
BB-161.1328MBE-T	TXC晶振	BB	XO	161.1328MHz	±50ppm
BB-161.1328MBE-T	TXC晶振	BB	XO	161.1328MHz	±50ppm
BB-161.1328MBE-T	TXC晶振	BB	XO	161.1328MHz	±50ppm
7X-20.000MBE-T	TXC晶振	7X	XO	20MHz	±50ppm
7X-20.000MBE-T	TXC晶振	7X	XO	20MHz	±50ppm
7X-20.000MBE-T	TXC晶振	7X	XO	20MHz	±50ppm
7X-20.000MBB-T	TXC晶振	7X	XO	20MHz	±50ppm
7X-20.000MBB-T	TXC晶振	7X	XO	20MHz	±50ppm
7X-20.000MBB-T	TXC晶振	7X	XO	20MHz	±50ppm
AU-33.000MBE-T	TXC晶振	AU	XO	33MHz	±50ppm
AU-33.000MBE-T	TXC晶振	AU	XO	33MHz	±50ppm
AU-33.000MBE-T	TXC晶振	AU	XO	33MHz	±50ppm
7WA2572007	TXC晶振	7W	XO	125MHz	±50ppm
7WA2572007	TXC晶振	7W	XO	125MHz	±50ppm
7WA2572007	TXC晶振	7W	XO	125MHz	±50ppm
6U-32.768MBE-T	TXC晶振	6U	VCXO	32.768MHz	±50ppm
6U-32.768MBE-T	TXC晶振	6U	VCXO	32.768MHz	±50ppm
6U-32.768MBE-T	TXC晶振	6U	VCXO	32.768MHz	±50ppm
BF-62.500MBE-T	TXC晶振	BF	XO	62.5MHz	±50ppm
BF-62.500MBE-T	TXC晶振	BF	XO	62.5MHz	±50ppm
BF-62.500MBE-T	TXC晶振	BF	XO	62.5MHz	±50ppm
BB-150.000MBE-T	TXC晶振	BB	XO	150MHz	±50ppm
BB-150.000MBE-T	TXC晶振	BB	XO	150MHz	±50ppm

如果使用自動(dòng)組裝機(jī)或拾放機(jī)將零件從托盤或卷軸上放置到板上，建議調(diào)整機(jī)器臂的速度，并且機(jī)器正確對(duì)減速和設(shè)備高度進(jìn)行編程，以免在放置零件時(shí)由于頭部的沖擊而損壞零件。使用柔軟或橡膠包覆的尖端也有助于消除對(duì)設(shè)備的任何損壞。

BB-150.000MBE-T	TXC晶振	BB	XO	150MHz	±50ppm
BR-61.4400MBE-T	TXC晶振	BR	VCXO	61.44MHz	±50ppm
BR-61.4400MBE-T	TXC晶振	BR	VCXO	61.44MHz	±50ppm
BR-61.4400MBE-T	TXC晶振	BR	VCXO	61.44MHz	±50ppm
7N-12.800MBP-T	TXC晶振	7N	TCXO	12.8MHz	±280ppb
7N-12.800MBP-T	TXC晶振	7N	TCXO	12.8MHz	±280ppb
7N-12.800MBP-T	TXC晶振	7N	TCXO	12.8MHz	±280ppb
7N-26.000MBP-T	TXC晶振	7N	TCXO	26MHz	±280ppb
7N-26.000MBP-T	TXC晶振	7N	TCXO	26MHz	±280ppb
7N-26.000MBP-T	TXC晶振	7N	TCXO	26MHz	±280ppb
TC-3.6864MBD-T	TXC晶振	TC	MEMS	3.6864MHz	±25ppm
TC-3.6864MBD-T	TXC晶振	TC	MEMS	3.6864MHz	±25ppm
TC-3.6864MBD-T	TXC晶振	TC	MEMS	3.6864MHz	±25ppm
TC-70.000MBD-T	TXC晶振	TC	MEMS	70MHz	±25ppm
TC-70.000MBD-T	TXC晶振	TC	MEMS	70MHz	±25ppm
TC-70.000MBD-T	TXC晶振	TC	MEMS	70MHz	±25ppm
TD-19.200MBD-T	TXC晶振	TD	MEMS	19.2MHz	±25ppm
TD-19.200MBD-T	TXC晶振	TD	MEMS	19.2MHz	±25ppm
TD-19.200MBD-T	TXC晶振	TD	MEMS	19.2MHz	±25ppm
TD-3.6864MBD-T	TXC晶振	TD	MEMS	3.6864MHz	±25ppm
TD-3.6864MBD-T	TXC晶振	TD	MEMS	3.6864MHz	±25ppm
TD-3.6864MBD-T	TXC晶振	TD	MEMS	3.6864MHz	±25ppm
TD-64.000MBD-T	TXC晶振	TD	MEMS	64MHz	±25ppm
TD-64.000MBD-T	TXC晶振	TD	MEMS	64MHz	±25ppm
TD-64.000MBD-T	TXC晶振	TD	MEMS	64MHz	±25ppm
TD-7.3728MBD-T	TXC晶振	TD	MEMS	7.3728MHz	±25ppm
TD-7.3728MBD-T	TXC晶振	TD	MEMS	7.3728MHz	±25ppm
TD-7.3728MBD-T	TXC晶振	TD	MEMS	7.3728MHz	±25ppm
7W-32.000MBB-T	TXC晶振	7W	XO	32MHz	±50ppm
7W-32.000MBB-T	TXC晶振	7W	XO	32MHz	±50ppm

處理所有晶體和晶體振蕩器的印刷線路板
在電路板制造/焊接過(guò)程中，應(yīng)盡量減少任何電路板剪切、彎曲、扭曲、振動(dòng)或類似力，以降低損壞設(shè)備的風(fēng)險(xiǎn)。

7W-32.000MBB-T	TXC晶振	7W	XO	32MHz	±50ppm
7X-19.200MBE-T	TXC晶振	7X	XO	19.2MHz	±50ppm
7X-19.200MBE-T	TXC晶振	7X	XO	19.2MHz	±50ppm
7X-19.200MBE-T	TXC晶振	7X	XO	19.2MHz	±50ppm
8W-26.000MBE-T	TXC晶振	8W	XO	26MHz	±50ppm
8W-26.000MBE-T	TXC晶振	8W	XO	26MHz	±50ppm
8W-26.000MBE-T	TXC晶振	8W	XO	26MHz	±50ppm
7X-30.000MBE-T	TXC晶振	7X	XO	30MHz	±50ppm
7X-30.000MBE-T	TXC晶振	7X	XO	30MHz	±50ppm
7X-30.000MBE-T	TXC晶振	7X	XO	30MHz	±50ppm
7X-25.000MBE-T	TXC晶振	7X	XO	25MHz	±50ppm
7X-25.000MBE-T	TXC晶振	7X	XO	25MHz	±50ppm
7X-25.000MBE-T	TXC晶振	7X	XO	25MHz	±50ppm
7X-38.400MBE-T	TXC晶振	7X	XO	38.4MHz	±50ppm
7X-38.400MBE-T	TXC晶振	7X	XO	38.4MHz	±50ppm
7X-38.400MBE-T	TXC晶振	7X	XO	38.4MHz	±50ppm
7X-48.000MBE-T	TXC晶振	7X	XO	48MHz	±50ppm
7X-48.000MBE-T	TXC晶振	7X	XO	48MHz	±50ppm
7X-48.000MBE-T	TXC晶振	7X	XO	48MHz	±50ppm
8W-20.000MBE-T	TXC晶振	8W	XO	20MHz	±50ppm
8W-20.000MBE-T	TXC晶振	8W	XO	20MHz	±50ppm
8W-20.000MBE-T	TXC晶振	8W	XO	20MHz	±50ppm
8W-13.000MBE-T	TXC晶振	8W	XO	13MHz	±50ppm
8W-13.000MBE-T	TXC晶振	8W	XO	13MHz	±50ppm
8W-13.000MBE-T	TXC晶振	8W	XO	13MHz	±50ppm
7X-50.000MBE-T	TXC晶振	7X	XO	50MHz	±50ppm
7X-50.000MBE-T	TXC晶振	7X	XO	50MHz	±50ppm
7X-50.000MBE-T	TXC晶振	7X	XO	50MHz	±50ppm
8W-24.000MBE-T	TXC晶振	8W	XO	24MHz	±50ppm
8W-24.000MBE-T	TXC晶振	8W	XO	24MHz	±50ppm

如果PC板面板包含超過(guò)一定數(shù)量的板（例如，25到30個(gè)板），則任何此類問(wèn)題都可能會(huì)加劇。由于板填充過(guò)程引入到板的部分力被傳遞到板上的所有板，在每個(gè)板有大量板的情況下，累積振動(dòng)效應(yīng)轉(zhuǎn)移到板上的最后幾塊板可能被證明是過(guò)度的。

8W-24.000MBE-T	TXC晶振	8W	XO	24MHz	±50ppm
7X-26.000MBE-T	TXC晶振	7X	XO	26MHz	±50ppm
7X-26.000MBE-T	TXC晶振	7X	XO	26MHz	±50ppm
7X-26.000MBE-T	TXC晶振	7X	XO	26MHz	±50ppm
TD-4.096MBD-T	TXC晶振	TD	MEMS	4.096MHz	±25ppm
TD-4.096MBD-T	TXC晶振	TD	MEMS	4.096MHz	±25ppm
TD-4.096MBD-T	TXC晶振	TD	MEMS	4.096MHz	±25ppm
TC-33.000MBD-T	TXC晶振	TC	MEMS	33MHz	±25ppm
TC-33.000MBD-T	TXC晶振	TC	MEMS	33MHz	±25ppm
TC-33.000MBD-T	TXC晶振	TC	MEMS	33MHz	±25ppm
TD-40.000MBD-T	TXC晶振	TD	MEMS	40MHz	±25ppm
TD-40.000MBD-T	TXC晶振	TD	MEMS	40MHz	±25ppm
TD-40.000MBD-T	TXC晶振	TD	MEMS	40MHz	±25ppm
TD-49.152MBD-T	TXC晶振	TD	MEMS	49.152MHz	±25ppm
TD-49.152MBD-T	TXC晶振	TD	MEMS	49.152MHz	±25ppm
TD-49.152MBD-T	TXC晶振	TD	MEMS	49.152MHz	±25ppm
TC-4.000MBD-T	TXC晶振	TC	MEMS	4MHz	±25ppm
TC-4.000MBD-T	TXC晶振	TC	MEMS	4MHz	±25ppm
TC-4.000MBD-T	TXC晶振	TC	MEMS	4MHz	±25ppm
TC-16.0972MBD-T	TXC晶振	TC	MEMS	16.0972MHz	±25ppm
TC-16.0972MBD-T	TXC晶振	TC	MEMS	16.0972MHz	±25ppm
TC-16.0972MBD-T	TXC晶振	TC	MEMS	16.0972MHz	±25ppm
TD-24.576MBD-T	TXC晶振	TD	MEMS	24.576MHz	±25ppm
TD-24.576MBD-T	TXC晶振	TD	MEMS	24.576MHz	±25ppm
TD-24.576MBD-T	TXC晶振	TD	MEMS	24.576MHz	±25ppm
TC-24.576MBD-T	TXC晶振	TC	MEMS	24.576MHz	±25ppm
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