欧美激情国产精品日韩_国产精品91在线_精品欧美一区二区三区久久久_欧美日韩高清区

億金電子有限公司

[設置首頁][添加收藏][網站地圖]
訂購熱線:0755-27876565
聯系我們:電話: 0755-27876565手機: 189 2460 0166Q Q: 857950243立即咨詢郵箱: yijindz@163.com
首頁晶振行業動態 EFR32FG22系列專有無線2.4Ghz SoC Silicon晶振,您不容錯過

EFR32FG22系列專有無線2.4Ghz SoC Silicon晶振,您不容錯過

來源:http://m.py519.com 作者:億金電子 2022年05月27

    Silicon晶振EFR32FG22系列2專有無線2.4Ghz SoC EFR32FG22(FG22)專有無線2.4Ghz SoC解決方案是無線Gecko系列2平臺的一部分。FG22SoC將38.4MHz Arm®Cortex®-M33內核與TrustZone以及接收靈敏度達-102.3dBm的高性能無線電集成在一起。這款SoC將超低傳輸和接收功率(+6dBm下為8.2mATX,3.6mARX)、1.2µA深入睡眠模式功率以及諸如RFSense之類創新低功耗功能組合在一起,提供業界領先的能源效率,可延長電池有限或能量收集選項的產品(如電子貨架標簽和工業無線傳感器節點使用的產品)的運行壽命。

510FBA148M500AAGR Silicon晶振 Si510 148.5MHz 2.5V ±25ppm
511ABA000110AAGR Silicon晶振 Si511 148.35165MHz 3.3V ±25ppm
511ABA148M500AAGR Silicon晶振 Si511 148.5MHz 3.3V ±25ppm
511BBA000110AAGR Silicon晶振 Si511 148.35165MHz 3.3V ±25ppm
511BBA148M500AAGR Silicon晶振 Si511 148.5MHz 3.3V ±25ppm
511FBA000110AAGR Silicon晶振 Si511 148.35165MHz 2.5V ±25ppm
511FBA148M500AAGR Silicon晶振 Si511 148.5MHz 2.5V ±25ppm
511ABA25M0000BAGR Silicon晶振 Si511 25MHz 3.3V ±25ppm
511ABA125M000AAG Silicon晶振 Si511 125MHz 3.3V ±25ppm
510ABA200M000BAGR Silicon晶振 Si510 200MHz 3.3V ±25ppm
510BBA200M000BAGR Silicon晶振 Si510 200MHz 3.3V ±25ppm
510FBA200M000BAGR Silicon晶振 Si510 200MHz 2.5V ±25ppm
511ABA200M000BAGR Silicon晶振 Si511 200MHz 3.3V ±25ppm
511BBA200M000BAGR Silicon晶振 Si511 200MHz 3.3V ±25ppm
511FBA200M000BAGR Silicon晶振 Si511 200MHz 2.5V ±25ppm
510ABA212M500BAGR Silicon晶振 Si510 212.5MHz 3.3V ±25ppm
510BBA212M500BAGR Silicon晶振 Si510 212.5MHz 3.3V ±25ppm
510FBA212M500BAGR Silicon晶振 Si510 212.5MHz 2.5V ±25ppm
511ABA212M500BAGR Silicon晶振 Si511 212.5MHz 3.3V ±25ppm
511BBA212M500BAGR Silicon晶振 Si511 212.5MHz 3.3V ±25ppm

    本應用說明旨在幫助用戶利用能夠實現優良RF性能的設計實踐,設計EFR32系列2無線Gecko產品組合的PCB。2.4GHz EFR32系列2無線MCU的匹配原則載于應用說明AN930.2:EFR32系列22.4GHz匹配指南中,而1GHz以下EFR32系列2設備的匹配過程在AN923.2:EFR32系列21GHz以下匹配指南中予以討論。以下應用說明詳細介紹了與MCU相關的主題:AN0918.2:系列1至無線Gecko系列2兼容性和遷移指南、AN0948.2:EFR32系列2電源配置和DC-DC,以及AN0955:CRYPTO。SiliconLabsMCU和無線入門套件以及SimplicityStudio提供強大的開發和調試環境。為利用自定義硬件的功能和特性,SiliconLabs推薦在自定義硬件設計中包含調試和編程接口連接器。有關包含這些連接器接口的詳細信息和優點在AN958:自定義設計的調試和編程接口中有詳細闡述。EFR32系列2的電源配置載于AN0002.2:EFR32無線Gecko系列2硬件設計注意事項。RF性能很大程度上依賴于PCB布局以及匹配網絡的設計。為實現最佳性能,SiliconLabs建議使用下列部分所述的PCB布局設計指南。

511FBA212M500BAGR Silicon晶振 Si511 212.5MHz 2.5V ±25ppm
510FBA200M000AAGR Silicon晶振 Si510 200MHz 2.5V ±25ppm
510ABA200M000AAGR Silicon晶振 Si510 200MHz 3.3V ±25ppm
510BBA200M000AAGR Silicon晶振 Si510 200MHz 3.3V ±25ppm
511ABA200M000AAGR Silicon晶振 Si511 200MHz 3.3V ±25ppm
511BBA200M000AAGR Silicon晶振 Si511 200MHz 3.3V ±25ppm
511FBA200M000AAGR Silicon晶振 Si511 200MHz 2.5V ±25ppm
510ABA212M500AAGR Silicon晶振 Si510 212.5MHz 3.3V ±25ppm
510BBA212M500AAGR Silicon晶振 Si510 212.5MHz 3.3V ±25ppm
510FBA212M500AAGR Silicon晶振 Si510 212.5MHz 2.5V ±25ppm
511ABA212M500AAGR Silicon晶振 Si511 212.5MHz 3.3V ±25ppm
511BBA212M500AAGR Silicon晶振 Si511 212.5MHz 3.3V ±25ppm
511FBA212M500AAGR Silicon晶振 Si511 212.5MHz 2.5V ±25ppm
511SAA20M0000AAG Silicon晶振 Si511 20MHz 1.8V ±50ppm
510BBA150M000BAG Silicon晶振 Si510 150MHz 3.3V ±25ppm
511BCB125M000AAG Silicon晶振 Si511 125MHz 3.3V ±20ppm
510FBA154M875AAG Silicon晶振 Si510 154.875MHz 2.5V ±25ppm
510FBA157M625AAG Silicon晶振 Si510 157.625MHz 2.5V ±25ppm
511ABA25M0000AAG Silicon晶振 Si511 25MHz 3.3V ±25ppm
511JBA125M000AAG Silicon晶振 Si511 125MHz 1.8V ±25ppm

    使用EFR32系列2無線MCU的設計建議已使用SiliconLabs提供的參考設計完成廣泛測試。建議設計者按原樣使用參考設計,因為其能夠盡可能減小寄生現象導致或不良元件布置和PCB排線產生的失諧作用。EFR32參考設計文件位于SimplicityStudio的“套件文檔”選項卡下。設計的緊湊型RF部分(不包括50Ω單端天線)以藍框圈出,強烈建議使用圈出的RF布局,以避免出現任何可能的失諧作用。下圖顯示了設計中圈出的緊湊型RF部分。

    EFR32xG21無線MCU的匹配網絡類型本節將提供建議與EFR32xG21搭配使用的匹配網絡。務必強調的一點是,調節后的匹配組件值很大程度上依賴于布局圖,因此建議遵循3.2.2EFR32xG21匹配網絡的其他布局設計指南中記錄的布局指導原則。EFR32xG21無線MCU可提供最大+20dBm的功率。所有EFR32xG21參考設計均使用L系列并聯C梯級匹配網絡。對于低功耗應用(≤10dBm),3元素C-L-C網絡已足夠,而高功耗解決方案(>10dBm)則需要5元素匹配。對于0dBm輸出功率,建議的匹配網絡顯示在Figure2.4適用于0dBm輸出功率的EFR32xG21的建議匹配網絡onpage5。

510KCA100M000BAG Silicon晶振 Si510 100MHz 1.8V ±20ppm
590AB70M6560DG Silicon晶振 Si590 70.656MHz 3.3V ±25ppm
590FA200M000DG Silicon晶振 Si590 200MHz 2.5V ±50ppm
590DA156M250DG Silicon晶振 Si590 156.25MHz 3.3V ±50ppm
591BB300M000DG Silicon晶振 Si591 300MHz 3.3V ±25ppm
550CD74M2500DGR Silicon晶振 Si550 74.25MHz 3.3V ±50ppm
530CA28M6000DG Silicon晶振 Si530 28.6MHz 3.3V ±50ppm
530AC125M000DGR Silicon晶振 Si530 125MHz 3.3V ±7ppm
530BC125M000DGR Silicon晶振 Si530 125MHz 3.3V ±7ppm
530EC125M000DGR Silicon晶振 Si530 125MHz 2.5V ±7ppm
531AC125M000DGR Silicon晶振 Si531 125MHz 3.3V ±7ppm
531BC125M000DGR Silicon晶振 Si531 125MHz 3.3V ±7ppm
531EC125M000DGR Silicon晶振 Si531 125MHz 2.5V ±7ppm
531FC125M000DGR Silicon晶振 Si531 125MHz 2.5V ±7ppm
530AC106M250DGR Silicon晶振 Si530 106.25MHz 3.3V ±7ppm
530BC106M250DGR Silicon晶振 Si530 106.25MHz 3.3V ±7ppm
530EC106M250DGR Silicon晶振 Si530 106.25MHz 2.5V ±7ppm
530FC106M250DGR Silicon晶振 Si530 106.25MHz 2.5V ±7ppm
531AC106M250DGR Silicon晶振 Si531 106.25MHz 3.3V ±7ppm
531BC106M250DGR Silicon晶振 Si531 106.25MHz 3.3V ±7ppm
531EC106M250DGR Silicon晶振 Si531 106.25MHz 2.5V ±7ppm
531FC106M250DGR Silicon晶振 Si531 106.25MHz 2.5V ±7ppm
531FC25M0000DGR Silicon晶振 Si531 25MHz 2.5V ±7ppm
530BC25M0000DGR Silicon晶振 Si530 25MHz 3.3V ±7ppm
514GBB000118AAG Silicon晶振 Si514 156.25MHz 2.5V ±25ppm

    當然,EFR32設備的TX輸出功率增加的同時,諧波信號絕對大小也會相應地提高。由于大部分監管標準(例如FCC、ETSI、ARIB等)要求諧波信號衰減至一定絕對功率級別以下(以瓦特或dBm為單位),所需的低通濾波量通常大于使用較高輸出功率的EFR32的RF無線電板。EFR32xG21的所有無線電板均包含一個50ΩIFA(反向F天線),其連接至匹配網絡的50Ω輸出,能夠測量輻射性能。可在這些無線電板上通過U.FL連接器進行可選傳導測量。天線旁有一個額外的元件(L3),其基本上不屬于匹配網絡。對于自定義設計,建議保留該系列元素的選項以進行額外的諧波抑制,其默認值應為0?。這些無線電板上的IFAPCB天線優化為50?阻抗,無任何外部離散天線匹配網絡。為了實現最大靈活性,建議在自定義設計時保留L3與天線之間的3元素PI結構天線匹配網絡選項。Note:若使用兩個RF引腳(RF2G4_IO1和RF2G4_IO2),匹配可能會相互耦合和失諧,因此理想匹配是僅填充一個引腳。

530RB150M000DG Silicon晶振 Si530 150MHz 2.5V ±20ppm
530RB200M000DG Silicon晶振 Si530 200MHz 2.5V ±20ppm
530BC100M000DG Silicon晶振 Si530 100MHz 3.3V ±20ppm
530AC155M520DGR Silicon晶振 Si530 155.52MHz 3.3V ±7ppm
530AC156M250DGR Silicon晶振 Si530 156.25MHz 3.3V ±7ppm
530BC155M520DGR Silicon晶振 Si530 155.52MHz 3.3V ±7ppm
530BC156M250DGR Silicon晶振 Si530 156.25MHz 3.3V ±7ppm
530EC155M520DGR Silicon晶振 Si530 155.52MHz 2.5V ±7ppm
530EC156M250DGR Silicon晶振 Si530 156.25MHz 2.5V ±7ppm
530FC155M520DGR Silicon晶振 Si530 155.52MHz 2.5V ±7ppm
530FC156M250DGR Silicon晶振 Si530 156.25MHz 2.5V ±7ppm
531AC155M520DGR Silicon晶振 Si531 155.52MHz 3.3V ±7ppm
531AC156M250DGR Silicon晶振 Si531 156.25MHz 3.3V ±7ppm
531BC155M520DGR Silicon晶振 Si531 155.52MHz 3.3V ±7ppm
531BC156M250DGR Silicon晶振 Si531 156.25MHz 3.3V ±7ppm
531EC155M520DGR Silicon晶振 Si531 155.52MHz 2.5V ±7ppm
531EC156M250DGR Silicon晶振 Si531 156.25MHz 2.5V ±7ppm
531FC155M520DGR Silicon晶振 Si531 155.52MHz 2.5V ±7ppm
531FC156M250DGR Silicon晶振 Si531 156.25MHz 2.5V ±7ppm
530AC187M500DGR Silicon晶振 Si530 187.5MHz 3.3V ±7ppm
530BC187M500DGR Silicon晶振 Si530 187.5MHz 3.3V ±7ppm
530EC187M500DGR Silicon晶振 Si530 187.5MHz 2.5V ±7ppm
530FC187M500DGR Silicon晶振 Si530 187.5MHz 2.5V ±7ppm
531AC187M500DGR Silicon晶振 Si531 187.5MHz 3.3V ±7ppm
531BC187M500DGR Silicon晶振 Si531 187.5MHz 3.3V ±7ppm

    EFR32系列2無線MCU的總體布局設計指南設計RF相關布局以實現優良RF性能的一般指南如下:
•對于自定義設計,請盡可能使用與參考設計相同數量的PCB層。與參考PCB層數出現偏差會導致不同的PCB寄生電容,無法實現匹配網絡的最佳形態。如果需要層數與參考設計不同的設計,請確保頂層和內部第一層之間的距離與參考設計相似,因為這個距離決定了接地的寄生電容值。否則可能會出現匹配網絡失調,可能需要微調元件值。

531EC187M500DGR Silicon晶振 Si531 187.5MHz 2.5V ±7ppm
531FC187M500DGR Silicon晶振 Si531 187.5MHz 2.5V ±7ppm
530AC000110DGR Silicon晶振 Si530 148.35165MHz 3.3V ±7ppm
530AC148M500DGR Silicon晶振 Si530 148.5MHz 3.3V ±7ppm
530AC200M000DGR Silicon晶振 Si530 200MHz 3.3V ±7ppm
530BC000110DGR Silicon晶振 Si530 148.35165MHz 3.3V ±7ppm
530BC148M500DGR Silicon晶振 Si530 148.5MHz 3.3V ±7ppm
530BC200M000DGR Silicon晶振 Si530 200MHz 3.3V ±7ppm
530EC000110DGR Silicon晶振 Si530 148.35165MHz 2.5V ±7ppm
530EC148M500DGR Silicon晶振 Si530 148.5MHz 2.5V ±7ppm
530EC200M000DGR Silicon晶振 Si530 200MHz 2.5V ±7ppm
530FC000110DGR Silicon晶振 Si530 148.35165MHz 2.5V ±7ppm
530FC148M500DGR Silicon晶振 Si530 148.5MHz 2.5V ±7ppm
531AC000110DGR Silicon晶振 Si531 148.35165MHz 3.3V ±7ppm
531AC148M500DGR Silicon晶振 Si531 148.5MHz 3.3V ±7ppm
531AC200M000DGR Silicon晶振 Si531 200MHz 3.3V ±7ppm
531BC000110DGR Silicon晶振 Si531 148.35165MHz 3.3V ±7ppm
531BC148M500DGR Silicon晶振 Si531 148.5MHz 3.3V ±7ppm
531BC200M000DGR Silicon晶振 Si531 200MHz 3.3V ±7ppm
531EC000110DGR Silicon晶振 Si531 148.35165MHz 2.5V ±7ppm
531EC148M500DGR Silicon晶振 Si531 148.5MHz 2.5V ±7ppm
531EC200M000DGR Silicon晶振 Si531 200MHz 2.5V ±7ppm
531FC000110DGR Silicon晶振 Si531 148.35165MHz 2.5V ±7ppm
531FC148M500DGR Silicon晶振 Si531 148.5MHz 2.5V ±7ppm
531FC200M000DGR Silicon晶振 Si531 200MHz 2.5V ±7ppm

•避免接地平面敷金屬分離。建議盡可能多地在PCB上創建均一的接地平面,并使其不被布線分離。而且,匹配網絡與EFR32IC裸焊盤接地之間的接地路徑應清晰,并在至少一個PCB層上暢通無阻。接地平面分離的唯一例外是EFR32匹配網絡和HFXO區域,在這些位置,接地引腳不應連接至頂層接地。有關這些例外情況的更多信息,請參閱3.2EFR32系列2無線MCU的布局。

550AE100M000DGR Silicon晶振 Si550 100MHz 3.3V ±20ppm
530BC130M250DG Silicon晶振 Si530 130.25MHz 3.3V ±7ppm
550AE100M000DG Silicon晶振 Si550 100MHz 3.3V ±20ppm
530BC154M000DG Silicon晶振 Si530 154MHz 3.3V ±7ppm
530AC312M500DGR Silicon晶振 Si530 312.5MHz 3.3V ±7ppm
530BC312M500DGR Silicon晶振 Si530 312.5MHz 3.3V ±7ppm
530EC312M500DGR Silicon晶振 Si530 312.5MHz 2.5V ±7ppm
530FC312M500DGR Silicon晶振 Si530 312.5MHz 2.5V ±7ppm
531AC312M500DGR Silicon晶振 Si531 312.5MHz 3.3V ±7ppm
531BC312M500DGR Silicon晶振 Si531 312.5MHz 3.3V ±7ppm
531EC312M500DGR Silicon晶振 Si531 312.5MHz 2.5V ±7ppm
531FC312M500DGR Silicon晶振 Si531 312.5MHz 2.5V ±7ppm
530AC250M000DGR Silicon晶振 Si530 250MHz 3.3V ±7ppm
530AC311M040DGR Silicon晶振 Si530 311.04MHz 3.3V ±7ppm
530AC622M080DGR Silicon晶振 Si530 622.08MHz 3.3V ±7ppm
530BC250M000DGR Silicon晶振 Si530 250MHz 3.3V ±7ppm
530BC311M040DGR Silicon晶振 Si530 311.04MHz 3.3V ±7ppm
530BC622M080DGR Silicon晶振 Si530 622.08MHz 3.3V ±7ppm
530EC250M000DGR Silicon晶振 Si530 250MHz 2.5V ±7ppm
530EC311M040DGR Silicon晶振 Si530 311.04MHz 2.5V ±7ppm
530EC622M080DGR Silicon晶振 Si530 622.08MHz 2.5V ±7ppm
530FC250M000DGR Silicon晶振 Si530 250MHz 2.5V ±7ppm
530FC311M040DGR Silicon晶振 Si530 311.04MHz 2.5V ±7ppm
530FC622M080DGR Silicon晶振 Si530 622.08MHz 2.5V ±7ppm
531AC250M000DGR Silicon晶振 Si531 250MHz 3.3V ±7ppm

•請使用盡可能多的接地孔(尤其是在GND引腳附近),以盡可能降低不同層的接地灌流和GND引腳之間的串聯寄生電感。
•請沿PCB邊緣和內部GND金屬灌流邊緣使用一系列GND針腳孔。孔之間的最大距離應小于第10次諧波的Lambda/10(參考無線電板上孔之間的距離一般為40–50mil)。該距離能夠在這些邊緣的彌散場造成的高諧波下降低PCB輻射。
•對于兩層以上的設計,建議在內層放置盡可能多的走線(甚至是數字走線),確保頂層和底層有大規模的連續GND灌流。

531AC311M040DGR Silicon晶振 Si531 311.04MHz 3.3V ±7ppm
531AC622M080DGR Silicon晶振 Si531 622.08MHz 3.3V ±7ppm
531BC250M000DGR Silicon晶振 Si531 250MHz 3.3V ±7ppm
531BC311M040DGR Silicon晶振 Si531 311.04MHz 3.3V ±7ppm
531BC622M080DGR Silicon晶振 Si531 622.08MHz 3.3V ±7ppm
531EC250M000DGR Silicon晶振 Si531 250MHz 2.5V ±7ppm
531EC311M040DGR Silicon晶振 Si531 311.04MHz 2.5V ±7ppm
531EC622M080DGR Silicon晶振 Si531 622.08MHz 2.5V ±7ppm
531FC250M000DGR Silicon晶振 Si531 250MHz 2.5V ±7ppm
531FC311M040DGR Silicon晶振 Si531 311.04MHz 2.5V ±7ppm
531FC622M080DGR Silicon晶振 Si531 622.08MHz 2.5V ±7ppm
530CA40M0000BG Silicon晶振 Si530 40MHz 3.3V ±50ppm
531AA640M000BG Silicon晶振 Si531 640MHz 3.3V ±50ppm
501BCAM032768BAG Silicon晶振 Si501 32.768kHz 3.3V ±20ppm
501BCAM032768DAF Silicon晶振 Si501 32.768kHz 3.3V ±20ppm
501JCAM032768BAF Silicon晶振 Si501 32.768kHz 3.3V ±20ppm
501JCAM032768BAG Silicon晶振 Si501 32.768kHz 3.3V ±20ppm
501JCAM032768CAG Silicon晶振 Si501 32.768kHz 3.3V ±20ppm
501HCAM032768BAG Silicon晶振 Si501 32.768kHz 1.7 V ~ 3.6 V ±20ppm
501HCAM032768CAF Silicon晶振 Si501 32.768kHz 1.7 V ~ 3.6 V ±20ppm
501HCAM032768CAG Silicon晶振 Si501 32.768kHz 1.7 V ~ 3.6 V ±20ppm
501HCAM032768DAG Silicon晶振 Si501 32.768kHz 1.7 V ~ 3.6 V ±20ppm
501ABA8M00000CAF Silicon晶振 Si501 8MHz 1.7 V ~ 3.6 V ±30ppm
501ABA8M00000DAF Silicon晶振 Si501 8MHz 1.7 V ~ 3.6 V ±30ppm
501ABA8M00000DAG Silicon晶振 Si501 8MHz 1.7 V ~ 3.6 V ±30ppm

•避免使用長和/或薄的傳輸線連接與RF相關的元件。否則由于分布式寄生電感,可能發生某些失諧作用。此外,請盡可能縮短互連線,降低接地的并聯寄生電容。但是,相鄰分立元件的偶聯可能會增加。
•在不同寬度(即不同阻抗)的傳輸線之間使用遞變線路,以減少內部反射。
•避免使用回路和長線,以消除共振。它們還可用作不良輻射體,尤其是在諧波上。
•請使用一些旁路電容確保優良的VDD濾波(尤其是工作頻率范圍)。電容的串聯自諧應靠近濾波頻率。過濾最高頻率的旁路電容應最接近EFR32的VDD引腳。除基礎頻率外,應過濾晶體/時鐘頻率及其諧波(最高3次),以避免向上變頻激勵。

501ACA10M0000CAG Silicon晶振 Si501 10MHz 1.7 V ~ 3.6 V ±20ppm
501ACA10M0000DAF Silicon晶振 Si501 10MHz 1.7 V ~ 3.6 V ±20ppm
501ACA10M0000DAG Silicon晶振 Si501 10MHz 1.7 V ~ 3.6 V ±20ppm
501JCA10M0000CAF Silicon晶振 Si501 10MHz 3.3V ±20ppm
501JCA10M0000CAG Silicon晶振 Si501 10MHz 3.3V ±20ppm
501JCA10M0000DAF Silicon晶振 Si501 10MHz 3.3V ±20ppm
501JCA10M0000DAG Silicon晶振 Si501 10MHz 3.3V ±20ppm
501HCA12M0000BAG Silicon晶振 Si501 12MHz 1.7 V ~ 3.6 V ±20ppm
501HCA12M0000CAF Silicon晶振 Si501 12MHz 1.7 V ~ 3.6 V ±20ppm
501HCA12M0000CAG Silicon晶振 Si501 12MHz 1.7 V ~ 3.6 V ±20ppm
501HCA12M0000DAG Silicon晶振 Si501 12MHz 1.7 V ~ 3.6 V ±20ppm
501BCA16M0000DAF Silicon晶振 Si501 16MHz 3.3V ±20ppm
501BCA16M0000DAG Silicon晶振 Si501 16MHz 3.3V ±20ppm
501BAA16M0000BAF Silicon晶振 Si501 16MHz 3.3V ±50ppm
501BAA16M0000CAF Silicon晶振 Si501 16MHz 3.3V ±50ppm
501BAA16M0000DAG Silicon晶振 Si501 16MHz 3.3V ±50ppm
501JCA20M0000BAF Silicon晶振 Si501 20MHz 3.3V ±20ppm
501JCA20M0000BAG Silicon晶振 Si501 20MHz 3.3V ±20ppm
501JCA20M0000CAF Silicon晶振 Si501 20MHz 3.3V ±20ppm
501JCA20M0000DAF Silicon晶振 Si501 20MHz 3.3V ±20ppm
501JCA20M0000DAG Silicon晶振 Si501 20MHz 3.3V ±20ppm
501AAA24M0000CAF Silicon晶振 Si501 24MHz 1.7 V ~ 3.6 V ±50ppm
501AAA24M0000CAG Silicon晶振 Si501 24MHz 1.7 V ~ 3.6 V ±50ppm
501AAA24M0000DAF Silicon晶振 Si501 24MHz 1.7 V ~ 3.6 V ±50ppm
501AAA24M0000DAG Silicon晶振 Si501 24MHz 1.7 V ~ 3.6 V ±50ppm

•使用多個孔將晶體殼接地,避免未接地部件的輻射。請勿斷開和懸空任何可能是不良輻射體的金屬。請避免引導電源走線靠近晶體或在晶體下方,或者與晶體信號或時鐘走線并聯。
•確保RF相關部件(尤其是天線)遠離直流轉換器輸出和相關的直流元件。
•請避免GPIO線路靠近RF線、天線或晶體或在其下方,或者與晶體信號并聯。請使用GPIO線上盡可能最低的偏差率,降低對RF或晶體信號的串擾。

501JAA24M0000BAF Silicon晶振 Si501 24MHz 3.3V ±50ppm
501JAA24M0000CAG Silicon晶振 Si501 24MHz 3.3V ±50ppm
501JAA24M0000DAG Silicon晶振 Si501 24MHz 3.3V ±50ppm
501JCA24M0000BAF Silicon晶振 Si501 24MHz 3.3V ±20ppm
501JCA24M0000BAG Silicon晶振 Si501 24MHz 3.3V ±20ppm
501JCA24M0000CAG Silicon晶振 Si501 24MHz 3.3V ±20ppm
501JCA24M0000DAG Silicon晶振 Si501 24MHz 3.3V ±20ppm
501AAA25M0000BAG Silicon晶振 Si501 25MHz 1.7 V ~ 3.6 V ±50ppm
501AAA25M0000CAF Silicon晶振 Si501 25MHz 1.7 V ~ 3.6 V ±50ppm
501AAA25M0000CAG Silicon晶振 Si501 25MHz 1.7 V ~ 3.6 V ±50ppm
501AAA25M0000DAF Silicon晶振 Si501 25MHz 1.7 V ~ 3.6 V ±50ppm
501JAA25M0000CAF Silicon晶振 Si501 25MHz 3.3V ±50ppm
501JAA25M0000CAG Silicon晶振 Si501 25MHz 3.3V ±50ppm
501JAA25M0000DAF Silicon晶振 Si501 25MHz 3.3V ±50ppm
501JAA25M0000DAG Silicon晶振 Si501 25MHz 3.3V ±50ppm
501JCA25M0000BAF Silicon晶振 Si501 25MHz 3.3V ±20ppm
501JCA25M0000BAG Silicon晶振 Si501 25MHz 3.3V ±20ppm
501JCA25M0000CAG Silicon晶振 Si501 25MHz 3.3V ±20ppm
501JCA25M0000DAF Silicon晶振 Si501 25MHz 3.3V ±20ppm
501JCA25M0000DAG Silicon晶振 Si501 25MHz 3.3V ±20ppm
501HCA26M0000BAG Silicon晶振 Si501 26MHz 1.7 V ~ 3.6 V ±20ppm
501HCA26M0000CAF Silicon晶振 Si501 26MHz 1.7 V ~ 3.6 V ±20ppm

•請使用盡可能短的VDD走線。VDD走線可以是隱藏的不良輻射體,以便盡可能簡化VDD布線,并使用帶有很多針腳孔的大規模連續GND灌流。要簡化VDD布線,請盡量避免VDD走線的星形拓撲(即避免連接一個通用點中的所有VDD走線)。
•在天線附近使用絲網會對天線的絕緣環境造成輕微的影響。盡管這一影響通常可以忽略,但是請盡量避免在天線或天線灌流遮擋區使用絲網。

501HCA26M0000CAG Silicon晶振 Si501 26MHz 1.7 V ~ 3.6 V ±20ppm
501HCA26M0000DAF Silicon晶振 Si501 26MHz 1.7 V ~ 3.6 V ±20ppm
501HCA26M0000DAG Silicon晶振 Si501 26MHz 1.7 V ~ 3.6 V ±20ppm
501AAA27M0000CAG Silicon晶振 Si501 27MHz 1.7 V ~ 3.6 V ±50ppm
501HCA27M0000BAG Silicon晶振 Si501 27MHz 1.7 V ~ 3.6 V ±20ppm
501HCA27M0000CAF Silicon晶振 Si501 27MHz 1.7 V ~ 3.6 V ±20ppm
501HCA27M0000CAG Silicon晶振 Si501 27MHz 1.7 V ~ 3.6 V ±20ppm
501JAA40M0000BAF Silicon晶振 Si501 40MHz 3.3V ±50ppm
501JAA40M0000CAG Silicon晶振 Si501 40MHz 3.3V ±50ppm
501JAA40M0000DAF Silicon晶振 Si501 40MHz 3.3V ±50ppm
501JAA40M0000DAG Silicon晶振 Si501 40MHz 3.3V ±50ppm
501EAA48M0000BAG Silicon晶振 Si501 48MHz 1.7 V ~ 3.6 V ±50ppm
501EAA48M0000DAF Silicon晶振 Si501 48MHz 1.7 V ~ 3.6 V ±50ppm
501AAA50M0000BAF Silicon晶振 Si501 50MHz 1.7 V ~ 3.6 V ±50ppm
501AAA50M0000CAG Silicon晶振 Si501 50MHz 1.7 V ~ 3.6 V ±50ppm
501AAA50M0000DAF Silicon晶振 Si501 50MHz 1.7 V ~ 3.6 V ±50ppm
501AAA50M0000DAG Silicon晶振 Si501 50MHz 1.7 V ~ 3.6 V ±50ppm
501BAA50M0000BAG Silicon晶振 Si501 50MHz 3.3V ±50ppm
501BAA50M0000CAF Silicon晶振 Si501 50MHz 3.3V ±50ppm
501BAA50M0000CAG Silicon晶振 Si501 50MHz 3.3V ±50ppm
501BAA50M0000DAF Silicon晶振 Si501 50MHz 3.3V ±50ppm
501BAA50M0000DAG Silicon晶振 Si501 50MHz 3.3V ±50ppm
501ACA100M000BAF Silicon晶振 Si501 100MHz 1.7 V ~ 3.6 V ±20ppm
501ACA100M000BAG Silicon晶振 Si501 100MHz 1.7 V ~ 3.6 V ±20ppm
501ACA100M000CAF Silicon晶振 Si501 100MHz 1.7 V ~ 3.6 V ±20ppm

    EFR32xG21匹配網絡的其他布局設計指南
•強烈建議在C1電容與EFR32xG21IC的對應TX/RX引腳(RF2G4_IO1或RF2G4_IO2)之間保持大約1mm的距離(在BRD4180A無線電板上,C1電容與TX/RX引腳之間的實際距離為0.95mm)。此短線的額外寄生電感是匹配網絡的一部分,如果未保持精確,可能會提高諧波水平。

501ACA100M000CAG Silicon晶振 Si501 100MHz 1.7 V ~ 3.6 V ±20ppm
501ACA100M000DAF Silicon晶振 Si501 100MHz 1.7 V ~ 3.6 V ±20ppm
501ACA100M000DAG Silicon晶振 Si501 100MHz 1.7 V ~ 3.6 V ±20ppm
501JCA100M000DAG Silicon晶振 Si501 100MHz 3.3V ±20ppm
501BCAM032768BAFR Silicon晶振 Si501 32.768kHz 3.3V ±20ppm
501BCAM032768BAGR Silicon晶振 Si501 32.768kHz 3.3V ±20ppm
501BCAM032768CAFR Silicon晶振 Si501 32.768kHz 3.3V ±20ppm
501BCAM032768CAGR Silicon晶振 Si501 32.768kHz 3.3V ±20ppm
501BCAM032768DAFR Silicon晶振 Si501 32.768kHz 3.3V ±20ppm
501BCAM032768DAGR Silicon晶振 Si501 32.768kHz 3.3V ±20ppm
501JCAM032768BAFR Silicon晶振 Si501 32.768kHz 3.3V ±20ppm
501JCAM032768BAGR Silicon晶振 Si501 32.768kHz 3.3V ±20ppm
501JCAM032768CAFR Silicon晶振 Si501 32.768kHz 3.3V ±20ppm
501JCAM032768CAGR Silicon晶振 Si501 32.768kHz 3.3V ±20ppm
501JCAM032768DAFR Silicon晶振 Si501 32.768kHz 3.3V ±20ppm
501JCAM032768DAGR Silicon晶振 Si501 32.768kHz 3.3V ±20ppm
501HCAM032768BAFR Silicon晶振 Si501 32.768kHz 1.7 V ~ 3.6 V ±20ppm
501HCAM032768BAGR Silicon晶振 Si501 32.768kHz 1.7 V ~ 3.6 V ±20ppm
501HCAM032768CAFR Silicon晶振 Si501 32.768kHz 1.7 V ~ 3.6 V ±20ppm
501HCAM032768CAGR Silicon晶振 Si501 32.768kHz 1.7 V ~ 3.6 V ±20ppm
501HCAM032768DAFR Silicon晶振 Si501 32.768kHz 1.7 V ~ 3.6 V ±20ppm
501HCAM032768DAGR Silicon晶振 Si501 32.768kHz 1.7 V ~ 3.6 V ±20ppm
501ABA8M00000BAFR Silicon晶振 Si501 8MHz 1.7 V ~ 3.6 V ±30ppm
501ABA8M00000BAGR Silicon晶振 Si501 8MHz 1.7 V ~ 3.6 V ±30ppm
501ABA8M00000CAFR Silicon晶振 Si501 8MHz 1.7 V ~ 3.6 V ±30ppm

•相鄰匹配網絡元件應盡可能彼此靠近,以盡可能降低任何接地的PCB寄生電容以及元件之間的串聯寄生電感。
•在大多數情況下,將匹配網絡中的連續諧波濾波電容旋轉到傳輸線的相對側,可以取得較好的諧波性能。然而,EFR32xG21芯片的驗證結果表明,對匹配網絡元件應用這種定位會提高諧波水平。因此,對于EFR32xG21設備,建議將匹配網絡中鄰近的并聯電容連接至傳輸線的相同側。

501ABA8M00000CAGR Silicon晶振 Si501 8MHz 1.7 V ~ 3.6 V ±30ppm
501ABA8M00000DAFR Silicon晶振 Si501 8MHz 1.7 V ~ 3.6 V ±30ppm
501ABA8M00000DAGR Silicon晶振 Si501 8MHz 1.7 V ~ 3.6 V ±30ppm
501ACA10M0000BAFR Silicon晶振 Si501 10MHz 1.7 V ~ 3.6 V ±20ppm
501ACA10M0000BAGR Silicon晶振 Si501 10MHz 1.7 V ~ 3.6 V ±20ppm
501ACA10M0000CAFR Silicon晶振 Si501 10MHz 1.7 V ~ 3.6 V ±20ppm
501ACA10M0000CAGR Silicon晶振 Si501 10MHz 1.7 V ~ 3.6 V ±20ppm
501ACA10M0000DAFR Silicon晶振 Si501 10MHz 1.7 V ~ 3.6 V ±20ppm
501ACA10M0000DAGR Silicon晶振 Si501 10MHz 1.7 V ~ 3.6 V ±20ppm
501JCA10M0000BAFR Silicon晶振 Si501 10MHz 3.3V ±20ppm
501JCA10M0000BAGR Silicon晶振 Si501 10MHz 3.3V ±20ppm
501JCA10M0000CAFR Silicon晶振 Si501 10MHz 3.3V ±20ppm
501JCA10M0000CAGR Silicon晶振 Si501 10MHz 3.3V ±20ppm
501JCA10M0000DAFR Silicon晶振 Si501 10MHz 3.3V ±20ppm
501JCA10M0000DAGR Silicon晶振 Si501 10MHz 3.3V ±20ppm
501HCA12M0000BAFR Silicon晶振 Si501 12MHz 1.7 V ~ 3.6 V ±20ppm
501HCA12M0000BAGR Silicon晶振 Si501 12MHz 1.7 V ~ 3.6 V ±20ppm
501HCA12M0000CAFR Silicon晶振 Si501 12MHz 1.7 V ~ 3.6 V ±20ppm
501HCA12M0000CAGR Silicon晶振 Si501 12MHz 1.7 V ~ 3.6 V ±20ppm
501HCA12M0000DAFR Silicon晶振 Si501 12MHz 1.7 V ~ 3.6 V ±20ppm
501HCA12M0000DAGR Silicon晶振 Si501 12MHz 1.7 V ~ 3.6 V ±20ppm
501BCA16M0000BAFR Silicon晶振 Si501 16MHz 3.3V ±20ppm
501BCA16M0000BAGR Silicon晶振 Si501 16MHz 3.3V ±20ppm
501BCA16M0000CAFR Silicon晶振 Si501 16MHz 3.3V ±20ppm
501BCA16M0000CAGR Silicon晶振 Si501 16MHz 3.3V ±20ppm
501BCA16M0000DAFR Silicon晶振 Si501 16MHz 3.3V ±20ppm
501BCA16M0000DAGR Silicon晶振 Si501 16MHz 3.3V ±20ppm
501BAA16M0000BAFR Silicon晶振 Si501 16MHz 3.3V ±50ppm
501BAA16M0000BAGR Silicon晶振 Si501 16MHz 3.3V ±50ppm
501BAA16M0000CAFR Silicon晶振 Si501 16MHz 3.3V ±50ppm

•應使用接地導通孔將匹配網絡中的并聯電容直接連接至PCB第2層接地平面。為獲得最佳諧波性能,應避免將接地引腳連接至頂層的公共接地金屬上。
•應加厚電容GND引腳附近的走線,以改善散熱帶的接地效應。這能夠盡可能降低接地灌流和GND引腳之間的串聯寄生電感。

501BAA16M0000CAGR Silicon晶振 Si501 16MHz 3.3V ±50ppm
501BAA16M0000DAFR Silicon晶振 Si501 16MHz 3.3V ±50ppm
501BAA16M0000DAGR Silicon晶振 Si501 16MHz 3.3V ±50ppm
501JCA20M0000BAFR Silicon晶振 Si501 20MHz 3.3V ±20ppm
501JCA20M0000BAGR Silicon晶振 Si501 20MHz 3.3V ±20ppm
501JCA20M0000CAFR Silicon晶振 Si501 20MHz 3.3V ±20ppm
501JCA20M0000CAGR Silicon晶振 Si501 20MHz 3.3V ±20ppm
501JCA20M0000DAFR Silicon晶振 Si501 20MHz 3.3V ±20ppm
501JCA20M0000DAGR Silicon晶振 Si501 20MHz 3.3V ±20ppm
501AAA24M0000BAFR Silicon晶振 Si501 24MHz 1.7 V ~ 3.6 V ±50ppm
501AAA24M0000BAGR Silicon晶振 Si501 24MHz 1.7 V ~ 3.6 V ±50ppm
501AAA24M0000CAFR Silicon晶振 Si501 24MHz 1.7 V ~ 3.6 V ±50ppm
501AAA24M0000CAGR Silicon晶振 Si501 24MHz 1.7 V ~ 3.6 V ±50ppm
501AAA24M0000DAFR Silicon晶振 Si501 24MHz 1.7 V ~ 3.6 V ±50ppm
501AAA24M0000DAGR Silicon晶振 Si501 24MHz 1.7 V ~ 3.6 V ±50ppm
501JAA24M0000BAFR Silicon晶振 Si501 24MHz 3.3V ±50ppm
501JAA24M0000BAGR Silicon晶振 Si501 24MHz 3.3V ±50ppm
501JAA24M0000CAFR Silicon晶振 Si501 24MHz 3.3V ±50ppm
501JAA24M0000CAGR Silicon晶振 Si501 24MHz 3.3V ±50ppm
501JAA24M0000DAFR Silicon晶振 Si501 24MHz 3.3V ±50ppm
501JAA24M0000DAGR Silicon晶振 Si501 24MHz 3.3V ±50ppm
501JCA24M0000BAFR Silicon晶振 Si501 24MHz 3.3V ±20ppm
501JCA24M0000BAGR Silicon晶振 Si501 24MHz 3.3V ±20ppm
501JCA24M0000CAFR Silicon晶振 Si501 24MHz 3.3V ±20ppm
501JCA24M0000CAGR Silicon晶振 Si501 24MHz 3.3V ±20ppm
501JCA24M0000DAFR Silicon晶振 Si501 24MHz 3.3V ±20ppm
501JCA24M0000DAGR Silicon晶振 Si501 24MHz 3.3V ±20ppm
501AAA25M0000BAFR Silicon晶振 Si501 25MHz 1.7 V ~ 3.6 V ±50ppm
501AAA25M0000BAGR Silicon晶振 Si501 25MHz 1.7 V ~ 3.6 V ±50ppm
501AAA25M0000CAFR Silicon晶振 Si501 25MHz 1.7 V ~ 3.6 V ±50ppm

•EFR32xG21芯片有2個等效的單端TX輸出/RX輸入。若只將其中一個輸出/輸入與10dBm或20dBmPA匹配網絡搭配使用,應將另一個直接連接至裸焊盤接地。請勿將未使用的TX/RX引腳連接至PCB的公共頂層接地,因為這可能會提高諧波水平。
•若要獲得更好的諧波性能,另建議將引腳11(RFVSS)直接連接至裸焊盤接地,而不是連接至公共頂層接地。
•在匹配網絡區域,請至少在布線/盤與相鄰GND灌流之間相隔0.3mm。該方法能夠盡可能降低寄生電容并減輕失諧作用。

501AAA25M0000CAGR Silicon晶振 Si501 25MHz 1.7 V ~ 3.6 V ±50ppm
501AAA25M0000DAFR Silicon晶振 Si501 25MHz 1.7 V ~ 3.6 V ±50ppm
501AAA25M0000DAGR Silicon晶振 Si501 25MHz 1.7 V ~ 3.6 V ±50ppm
501JAA25M0000BAFR Silicon晶振 Si501 25MHz 3.3V ±50ppm
501JAA25M0000BAGR Silicon晶振 Si501 25MHz 3.3V ±50ppm
501JAA25M0000CAFR Silicon晶振 Si501 25MHz 3.3V ±50ppm
501JAA25M0000CAGR Silicon晶振 Si501 25MHz 3.3V ±50ppm
501JAA25M0000DAFR Silicon晶振 Si501 25MHz 3.3V ±50ppm
501JAA25M0000DAGR Silicon晶振 Si501 25MHz 3.3V ±50ppm
501JCA25M0000BAFR Silicon晶振 Si501 25MHz 3.3V ±20ppm
501JCA25M0000BAGR Silicon晶振 Si501 25MHz 3.3V ±20ppm
501JCA25M0000CAFR Silicon晶振 Si501 25MHz 3.3V ±20ppm
501JCA25M0000CAGR Silicon晶振 Si501 25MHz 3.3V ±20ppm
501JCA25M0000DAFR Silicon晶振 Si501 25MHz 3.3V ±20ppm
501JCA25M0000DAGR Silicon晶振 Si501 25MHz 3.3V ±20ppm
501HCA26M0000BAFR Silicon晶振 Si501 26MHz 1.7 V ~ 3.6 V ±20ppm
501HCA26M0000BAGR Silicon晶振 Si501 26MHz 1.7 V ~ 3.6 V ±20ppm
501HCA26M0000CAFR Silicon晶振 Si501 26MHz 1.7 V ~ 3.6 V ±20ppm
501HCA26M0000CAGR Silicon晶振 Si501 26MHz 1.7 V ~ 3.6 V ±20ppm
501HCA26M0000DAFR Silicon晶振 Si501 26MHz 1.7 V ~ 3.6 V ±20ppm
501HCA26M0000DAGR Silicon晶振 Si501 26MHz 1.7 V ~ 3.6 V ±20ppm
501AAA27M0000BAFR Silicon晶振 Si501 27MHz 1.7 V ~ 3.6 V ±50ppm
501AAA27M0000BAGR Silicon晶振 Si501 27MHz 1.7 V ~ 3.6 V ±50ppm
501AAA27M0000CAFR Silicon晶振 Si501 27MHz 1.7 V ~ 3.6 V ±50ppm
501AAA27M0000CAGR Silicon晶振 Si501 27MHz 1.7 V ~ 3.6 V ±50ppm

正在載入評論數據...

發表評論:

姓名:
郵箱:
正文:

歡迎參與討論,請在這里發表您的看法、交流您的觀點。

誠征下列地區 晶振 | 石英晶振 | 圓柱晶振 | 貼片晶振 | 陶瓷晶振 | 石英晶體諧振器 | 頻率元件 的合作伙伴:
深圳市 廣州市 北京 上海 東莞 佛山 中山 順德 珠海 杭州 溫州 武漢 長沙 南京 大連 長春 西安 鄭州 澳門 沈陽 南寧 昆明 濟南 重慶 成都
kf
kf
close
kf 億金微信號
欧美激情国产精品日韩_国产精品91在线_精品欧美一区二区三区久久久_欧美日韩高清区
久久久精品国产亚洲| 777精品视频| 日韩专区第三页| 国产99久久精品一区二区永久免费| 久久视频在线看| 国产精品日韩欧美综合| www.欧美免费| 国产精品视频999| 国产精品久久久久久av福利软件| 国产精品入口免费视频一| 日韩在线观看高清| 久久99国产精品一区| 久久久久久久色| 精品国产拍在线观看| 俺去亚洲欧洲欧美日韩| y97精品国产97久久久久久| 久久久99免费视频| 久久天天躁狠狠躁夜夜av| 国产精品嫩草视频| 欧美成aaa人片免费看| 最新中文字幕久久| 亚洲中文字幕无码av永久| 亚洲www视频| 热久久这里只有| 欧美日韩激情四射| 国内精品国语自产拍在线观看| 韩国欧美亚洲国产| 国产伦精品一区二区三区高清 | 色综合av综合无码综合网站| 午夜精品一区二区三区在线视频| 三级三级久久三级久久18| 日韩欧美在线播放视频| 欧美精品一区二区三区在线四季| 麻豆av福利av久久av| 97精品国产97久久久久久粉红| 81精品国产乱码久久久久久| 久久精品久久久久久国产 免费| 精品久久久久久综合日本| 懂色av粉嫩av蜜臀av| 欧美 日韩 国产一区| 成人国产一区二区三区| 久久久久久久久久码影片| 久久夜色精品国产欧美乱| 一本大道熟女人妻中文字幕在线| 日本高清不卡在线| 国产综合在线看| 99久久精品免费看国产四区 | 精品一区二区不卡| 91久久久久久| 国产精品久久久久久久午夜| 亚洲视频欧美在线| 欧美国产综合在线| 国产精彩精品视频| 国产精品日韩欧美一区二区| 亚洲免费精品视频| 国模杨依粉嫩蝴蝶150p| 成人a在线视频| 日韩午夜在线视频| 亚洲在线视频观看| 国内精品久久久久伊人av| 国产v综合ⅴ日韩v欧美大片| 欧美老少配视频| 欧美在线3区| 91精品综合久久| 精品国产乱码久久久久久郑州公司| 热久久免费视频精品| 久久人人爽人人爽人人片av高请| 九九热视频这里只有精品| 欧美在线性视频| 国产精国产精品| 一区二区三区观看| 免费久久久久久| 日韩视频免费看| 日本欧美色综合网站免费| 91精品国产高清久久久久久91裸体 | www.欧美三级电影.com| 午夜精品久久久久久久99黑人| 国产伦精品一区| 国产精品果冻传媒潘| 日本久久久网站| 91国产在线精品| 中文字幕在线亚洲精品| 国产一区一区三区| 国产精品久久中文字幕| 欧美国产综合视频| 国产精品视频yy9099| 黄色片网址在线观看| 精品国产欧美成人夜夜嗨| 青青青国产精品一区二区| 色偷偷av一区二区三区| 日韩免费在线观看av| 国产福利一区视频| 日本一区二区免费高清视频| 久久久视频在线| 亚洲精品国产suv一区88| 国产久一一精品| 亚洲午夜精品久久久久久人妖| 成人做爽爽免费视频| 亚洲自拍av在线| 久久久久久艹| 日本一本中文字幕| 日韩专区在线播放| 国产一区在线播放| 最新av网址在线观看| 不卡一区二区三区四区五区| 亚洲国产精品久久久久久女王| 99精品人妻少妇一区二区| 亚洲精品日韩精品| 国产成人精品电影久久久| 日韩av色在线| 久久精品国产精品亚洲| 经典三级在线视频| 欧美成人午夜剧场免费观看 | 蜜桃成人免费视频| 欧美成人午夜剧场免费观看| 国产欧美久久久久久| 亚洲欧美丝袜| 日韩在线观看免费av| 国产在线观看一区二区三区| 国产99久久久欧美黑人| 91精品国产91久久久久麻豆 主演| 日本久久久精品视频| 久久天天躁狠狠躁夜夜躁| 国产一区二区高清视频| 亚洲国产精品www| 俺去了亚洲欧美日韩| 国产婷婷一区二区三区| 亚洲精品久久区二区三区蜜桃臀| 色噜噜亚洲精品中文字幕| 国产在线精品自拍| 无码免费一区二区三区免费播放| 国产成人精品视频在线| 国产色一区二区三区| 午夜欧美不卡精品aaaaa| 久久久成人av| 91久久久久久久久久| 免费国产成人av| 亚洲国产精品一区二区第一页| www.日本久久久久com.| 成人免费视频97| 欧洲日本亚洲国产区| 正在播放国产精品| 国产成人啪精品视频免费网| av电影一区二区三区| 国内精品视频一区二区三区| 日韩av一二三四区| 中文字幕av久久| 国产成人精品视频免费看| 91久久精品日日躁夜夜躁国产| 欧美日韩精品久久久免费观看| 亚洲免费视频一区| 亚洲第一综合| 久久精品国产一区| 草b视频在线观看| 免费中文日韩| 色乱码一区二区三在线看| 国产精品精品国产| 国产在线播放不卡| 欧美在线一二三区| 亚洲最大激情中文字幕| 国产精品第七影院| 久久精品视频在线观看| 久久久免费观看| 97免费视频观看| 国产奶头好大揉着好爽视频| 欧美视频观看一区| 奇米影视亚洲狠狠色| 日本在线播放不卡| 中文字幕制服丝袜在线| 国产精品高清免费在线观看| 久久久精品久久久| 久久久久久久中文| 国产激情一区二区三区在线观看| 国产精品一区在线观看| 国产主播在线一区| 成人做爰www免费看视频网站| 久久久久久国产| 久久亚洲精品一区二区| 国产精品偷伦视频免费观看国产| 久久精品人人做人人爽电影| 国产精品ⅴa在线观看h| 亚洲在线欧美| 亚洲综合色激情五月| 操91在线视频| 久久这里有精品视频| 久久av.com| 欧美成人中文字幕| 欧美理论电影在线观看| 精品国产一区二区三区无码 | 性一交一乱一伧国产女士spa| 亚洲一区二区久久久久久久| 一道本在线观看视频| 中文字幕一区二区三区四区五区六区| 精品麻豆av| 中文字幕一区综合| 亚洲伊人成综合成人网| 欧美激情乱人伦一区| 一区不卡字幕| 国产精品国产精品| 九色精品免费永久在线|