使用過程中遇到晶振不起振怎么辦
來源：http://m.py519.com 作者：yijindz 2012年04月30
每個產品在做完整之前都需要經過很多工序的檢測，電路板設有晶振的電子產品在檢漏工序中，就是在酒精加壓的環境下，石英晶體容易產生碰殼現象，即振動時芯片跟外殼容易相碰，從而晶體容易發生時振時不振或停振；
下面是導致晶振停振的幾個要數
1,在壓封時，晶體內部要求抽真空充氮氣，如果發生壓封不良，即石英晶體的密封性不好時，在酒精加壓的條件下，其表現為漏氣，稱之為雙漏，也會導致停振，
2,由于芯片本身的厚度很薄，當激勵功率過大時，會使內部石英芯片破損，導致停振；
3,在焊錫時，當錫絲透過線路板上小孔滲過，導致引腳跟外殼連接在一塊，或是晶體在制造過程中，基座上引腳的錫點和外殼相連接發生單漏，都會造成短路，從而引起停振；
4,由于石英水晶振動子在剪腳和焊錫的時候容易產生機械應力和熱應力，而焊錫溫度過高和作用時間太長都會影響到晶體，容易導致晶體處于臨界狀態，以至出現時振時不振現象，甚至停振；
5,有功負載會降低Q值（即品質因素），從而使晶體的穩定性下降，容易受周邊有源組件影響，處于不穩定狀態，出現時振時不振現象；
6, 當石英晶體頻率發生頻率漂移，且超出石英晶體頻率偏差范圍過多時，以至于捕捉不到石英晶體的中心頻率，從而導致芯片不起振。
當遇到以上情況時的正確處理方法：
1,嚴格按照技術要求的規定，對石英晶體組件進行檢漏試驗以檢查其密封性，及時處理不良品并分析原因；
2,壓封工序是將調好的諧振件在氮氣保護中與外殼封裝起來，以穩定石英晶體諧振器的電氣性能。在此工序應保持送料倉、壓封倉和出料倉干凈，壓封倉要連續沖氮氣，并在壓封過程中注意焊頭磨損情況及模具位置，電壓、氣壓和氮氣流量是否正常，否則及時處理。其質量標準為：無傷痕、毛刺、頂坑、彎腿，壓印對稱不可歪斜。
3,由于石英晶體是被動組件，它是由IC提供適當的激勵功率而正常工作的，因此，當激勵功率過低時，晶體不易起振，過高時，便形成過激勵，使石英芯片破損，引起停振。所以，應提供適當的激勵功率。另外，有功負載會消耗一定的功率，從而降低晶體Q值，從而使晶體的穩定性下降，容易受周邊有源組件影響，處于不穩定狀態，出現時振時不振現象，所以，外加有功負載時，應匹配一個比較合適有功負載。
4,控制好剪腳和焊錫工序，并保證基座絕緣性能和引腳質量，引腳鍍層光亮均勻無麻面，無變形、裂痕、變色、劃傷、污跡及鍍層剝落。為了更好地防止單漏，可以在晶體下加一個絕緣墊片。
5,當晶體產生頻率漂移而且超出頻差范圍時，應檢查是否匹配了合適的負載電容，可以通過調節晶體的負載電容來解決
下面是導致晶振停振的幾個要數
1,在壓封時，晶體內部要求抽真空充氮氣，如果發生壓封不良，即石英晶體的密封性不好時，在酒精加壓的條件下，其表現為漏氣，稱之為雙漏，也會導致停振，
2,由于芯片本身的厚度很薄，當激勵功率過大時，會使內部石英芯片破損，導致停振；
3,在焊錫時，當錫絲透過線路板上小孔滲過，導致引腳跟外殼連接在一塊，或是晶體在制造過程中，基座上引腳的錫點和外殼相連接發生單漏，都會造成短路，從而引起停振；
4,由于石英水晶振動子在剪腳和焊錫的時候容易產生機械應力和熱應力，而焊錫溫度過高和作用時間太長都會影響到晶體，容易導致晶體處于臨界狀態，以至出現時振時不振現象，甚至停振；
5,有功負載會降低Q值（即品質因素），從而使晶體的穩定性下降，容易受周邊有源組件影響，處于不穩定狀態，出現時振時不振現象；
6, 當石英晶體頻率發生頻率漂移，且超出石英晶體頻率偏差范圍過多時，以至于捕捉不到石英晶體的中心頻率，從而導致芯片不起振。
當遇到以上情況時的正確處理方法：
1,嚴格按照技術要求的規定，對石英晶體組件進行檢漏試驗以檢查其密封性，及時處理不良品并分析原因；
2,壓封工序是將調好的諧振件在氮氣保護中與外殼封裝起來，以穩定石英晶體諧振器的電氣性能。在此工序應保持送料倉、壓封倉和出料倉干凈，壓封倉要連續沖氮氣，并在壓封過程中注意焊頭磨損情況及模具位置，電壓、氣壓和氮氣流量是否正常，否則及時處理。其質量標準為：無傷痕、毛刺、頂坑、彎腿，壓印對稱不可歪斜。
3,由于石英晶體是被動組件，它是由IC提供適當的激勵功率而正常工作的，因此，當激勵功率過低時，晶體不易起振，過高時，便形成過激勵，使石英芯片破損，引起停振。所以，應提供適當的激勵功率。另外，有功負載會消耗一定的功率，從而降低晶體Q值，從而使晶體的穩定性下降，容易受周邊有源組件影響，處于不穩定狀態，出現時振時不振現象，所以，外加有功負載時，應匹配一個比較合適有功負載。
4,控制好剪腳和焊錫工序，并保證基座絕緣性能和引腳質量，引腳鍍層光亮均勻無麻面，無變形、裂痕、變色、劃傷、污跡及鍍層剝落。為了更好地防止單漏，可以在晶體下加一個絕緣墊片。
5,當晶體產生頻率漂移而且超出頻差范圍時，應檢查是否匹配了合適的負載電容，可以通過調節晶體的負載電容來解決
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